Учебно-методический материал по программе повышения квалификации
«Физико-химические основы нанотехнологий». - Нижний Новгород, ННГУ,
2007. - 87 с.
В пособии описаны особенности энергетического спектра, статистики, межзонного оптического поглощения, фотоэлектрических явлений в гетеронаноструктурах с квантовыми ямами и точками типа InGaAs/GaAs и фотоэлектрические методы диагностики их оптоэлектронных характеристик, дефектности, геометрических и других параметров. Значительное внимание уделено исследованиям фотоэлектрических явлений в этих гетеронаноструктурах, выполненным в Нижегородском университете.
Пособие рекомендуется студентам старших курсов, специализирующимся по специальностям 202100 – «Нанотехнология в электронике» и 200200 – «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», студентам магистратуры и аспирантам, слушающим курсы в области физики низкоразмерных твердотельных структур и ведущим исследования в соответствующей области.
В пособии описаны особенности энергетического спектра, статистики, межзонного оптического поглощения, фотоэлектрических явлений в гетеронаноструктурах с квантовыми ямами и точками типа InGaAs/GaAs и фотоэлектрические методы диагностики их оптоэлектронных характеристик, дефектности, геометрических и других параметров. Значительное внимание уделено исследованиям фотоэлектрических явлений в этих гетеронаноструктурах, выполненным в Нижегородском университете.
Пособие рекомендуется студентам старших курсов, специализирующимся по специальностям 202100 – «Нанотехнология в электронике» и 200200 – «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», студентам магистратуры и аспирантам, слушающим курсы в области физики низкоразмерных твердотельных структур и ведущим исследования в соответствующей области.