Львов. Вища шк. 1987. 189 с.
В монографии изложена технология, композиционно-топологическое строение и оптико-электронные свойства сложных стеклообразных полупроводников. Рассмотрены методы получения, физико-химические свойства тройных и четверных халькогенидных и халькогалогенидных стекол, возможности прогнозирования их оптико-рефрактометрических, упругооптических параметров и использования в акустооптике, фотонике, а также применения аморфных халькогенидов и халькогалогенидов для оптической записи информации и создания различных функциональных элементов электроники. Особое внимание уделяется исследованию оптико-топологических и фотооптических электронных явлений и механизму электронно-дырочных структурно-топологических фотоиндуцированных изменений оптических параметров.
Нормативные материалы приведены по состоянию на 1 января 1987 г.
Для научных, инженерно-технических работников, а также преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, интересующихся вопросами материаловедения и физики аморфных полупроводников, технологии и химии полупроводниковых материалов для фотоники и микроэлектроники.
Содержание
Предисловие
Композиционно-топологические особенности сложных некристаллических полупроводников
Получение и физико-химические свойства стекол в халькогенидных системах M-AV-BVI-CVII
Оптико-топологические электронные явления и оптико-рефрактометрическая закономерность
Упругооптические взаимодействия в халькогенидных стеклах
Фотоиндуцированные изменения свойств тонких слоев халькогенидных полупроводников
Электрофизические свойства и переключение
Заключение
Список литературы
Список сокращений
В монографии изложена технология, композиционно-топологическое строение и оптико-электронные свойства сложных стеклообразных полупроводников. Рассмотрены методы получения, физико-химические свойства тройных и четверных халькогенидных и халькогалогенидных стекол, возможности прогнозирования их оптико-рефрактометрических, упругооптических параметров и использования в акустооптике, фотонике, а также применения аморфных халькогенидов и халькогалогенидов для оптической записи информации и создания различных функциональных элементов электроники. Особое внимание уделяется исследованию оптико-топологических и фотооптических электронных явлений и механизму электронно-дырочных структурно-топологических фотоиндуцированных изменений оптических параметров.
Нормативные материалы приведены по состоянию на 1 января 1987 г.
Для научных, инженерно-технических работников, а также преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, интересующихся вопросами материаловедения и физики аморфных полупроводников, технологии и химии полупроводниковых материалов для фотоники и микроэлектроники.
Содержание
Предисловие
Композиционно-топологические особенности сложных некристаллических полупроводников
Получение и физико-химические свойства стекол в халькогенидных системах M-AV-BVI-CVII
Оптико-топологические электронные явления и оптико-рефрактометрическая закономерность
Упругооптические взаимодействия в халькогенидных стеклах
Фотоиндуцированные изменения свойств тонких слоев халькогенидных полупроводников
Электрофизические свойства и переключение
Заключение
Список литературы
Список сокращений