М.: Мир, 1985. - 416 с.
Обзор (американских и японских физиков) электронных свойств инверсионных и обогащенных слоев на границах раздела полупроводник—диэлектрик, а также других систем, проявляющих двумерный характер, таких, как электроны в полупроводниковых гетеропереходах и сверхрешетках и на поверхности жидкого гелия. Основное внимание уделяется структуре энергетических уровней, явлениям переноса, и оптическим свойствам системы электронов на границе раздела (100) кремния и двуокиси кремния. Другие системы обсуждаются менее подробно.
Для научных работников, специализирующихся по физике поверхности твердого тела, физике полупроводников, полупроводниковой электронике и метрологии.
Обзор (американских и японских физиков) электронных свойств инверсионных и обогащенных слоев на границах раздела полупроводник—диэлектрик, а также других систем, проявляющих двумерный характер, таких, как электроны в полупроводниковых гетеропереходах и сверхрешетках и на поверхности жидкого гелия. Основное внимание уделяется структуре энергетических уровней, явлениям переноса, и оптическим свойствам системы электронов на границе раздела (100) кремния и двуокиси кремния. Другие системы обсуждаются менее подробно.
Для научных работников, специализирующихся по физике поверхности твердого тела, физике полупроводников, полупроводниковой электронике и метрологии.