Зятьков И.И., Юрченко Е.П. Моделирование технологии формирования элементов интегральных схем

Учебное пособие. — ГЭТУ. — СПб., 1995. — 48 с. Изложены конструктивно-технологические особенности элементов в МДП ИМС и в ИМС на биполярных транзисторах. Рассмотрены особенности конструкции и технологии базовых инверторов МДП ИМС.
Приведены примеры расчета технологических процессов для обеспечения заданных конструктивно-технологических параметров элементов ИМС. Проведен учет двухмерных эффектов при введении примесей через окно в маске.
Предназначено для студентов специальностей 200100 и 200200. Введение.
Моделирование структуры биполярного транзистора.
Конструктивно - технологические особенности биполярных транзисторов интегральных микросхем.
Расчет параметров транзисторной структуры при заданных режимах технологического процесса.
Выбор режима технологического процесса для заданных параметров слоев структуры.
Моделирование технологии формирования МДП ИМС.
Конструктивно - технологические особенности элементов МДП ИМС.
Особенности конструкции и технологии базовых инверторов МДП ИМС.
Учет двухмерных эффектов при введении примесей через окно в маске.
Особенности конструкции и технологии МДП-транзисторов с двойной диффузией (ДМДП).
Список литературы.