Методические указания к практическим занятиям по курсам «Технология
полупроводниковых приборов и ИМС» и «Проектирование и
конструирование полупроводниковых приборов и ИМС». СПб.: СПбГЭТУ
«ЛЭТИ», 2000. — 52 с.
Рассмотрены структура программы и основные модели, используемые в
ней для расчета технологических и электрофизических параметров
p-n-перехода и ВАХ диода; представлены задания,
предназначенные для самостоятельного выполнения студентами на
ПЭВМ.
Рекомендуются для студентов, обучающихся по специальностям 200100 «Материалы и компоненты электронной техники», 200200 «Полупроводниковые приборы и микроэлектроника», а также для бакалавров, обучающихся по направлению «Электроника». Описание программы расчета p-n-перехода.
Структура программы.
Возможности и ограничения расчета технологии формирования p-n-перехода.
Алгоритм расчета электрофизических и электрических параметров p-n-перехода.
Расчет вольт-амперной характеристики диода.
Индивидуальные задания.
Формирование слоев методом одностадийной диффузии примесей.
Формирование слоев методом двухстадийной диффузии.
Формирование слоев диффузией примесей из легированных оксидов.
Формирование слоев методом двухстадийной диффузии примесей при одновременном термическом окислении.
Формирование слоев методом ионной имплантации.
Формирование элементов интегральных схем.
Проектирование диодной структуры с заданной емкостью p-n-перехода.
Проектирование структуры варикапа.
Проектирование диодной структуры в эпитаксиальном слое.
Проектирование коллекторного перехода транзисторной структуры.
Расчет предельного рабочего напряжения диода в зависимости от глубины залегания p-n-перехода.
Проектирование диода.
Список литературы.
Рекомендуются для студентов, обучающихся по специальностям 200100 «Материалы и компоненты электронной техники», 200200 «Полупроводниковые приборы и микроэлектроника», а также для бакалавров, обучающихся по направлению «Электроника». Описание программы расчета p-n-перехода.
Структура программы.
Возможности и ограничения расчета технологии формирования p-n-перехода.
Алгоритм расчета электрофизических и электрических параметров p-n-перехода.
Расчет вольт-амперной характеристики диода.
Индивидуальные задания.
Формирование слоев методом одностадийной диффузии примесей.
Формирование слоев методом двухстадийной диффузии.
Формирование слоев диффузией примесей из легированных оксидов.
Формирование слоев методом двухстадийной диффузии примесей при одновременном термическом окислении.
Формирование слоев методом ионной имплантации.
Формирование элементов интегральных схем.
Проектирование диодной структуры с заданной емкостью p-n-перехода.
Проектирование структуры варикапа.
Проектирование диодной структуры в эпитаксиальном слое.
Проектирование коллекторного перехода транзисторной структуры.
Расчет предельного рабочего напряжения диода в зависимости от глубины залегания p-n-перехода.
Проектирование диода.
Список литературы.