Диссертация на соискание ученой степени кандидата
физико-математических наук: 01.04.07 - Физика конденсированного
состояния. — ФГАОУ ВПО «Уральский федеральный университет имени
первого Президента России Б.Н. Ельцина». — Екатеринбург, 2015. —
178 с.
Научный руководитель: доктор физико-математических наук, профессор
Огородников И.Н.
Введение
Люминесценция, дефекты и электронные возбуждения LGBO (аналитический обзор)
Кристаллографическая структура
Электронная структура
Точечные дефекты
Люминесцентные свойства
Сцинтилляционные свойства
Методы выращивания кристаллов и синтеза кристалловолокон
Особенности и свойства кристалловолоконных образцов
Объекты и методы исследования
Экспериментальные методы исследования
Обработка экспериментальных данных и численные расчеты
Выводы по главе
Оптические свойства и низкоэнергетические электронные возбуждения
Низкотемпературные спектры отражения и возбуждения ФЛ
Дисперсионный анализ спектров отражения
Электронные возбуждения и оптические функции
Выводы по главе
Люминесценция точечных дефектов
Особенности низкотемпературной (Т=10К) фотом=люминесценции
Фотолюминесцентная спектроскопия при Т=80-400 К
Катодолюминесценция и короткоживущее оптическое поглощение
Выводы по главе
Термостимулированные рекомбинационные процессы
Низкотемпературная рекомбинационная люминесценция
Рекомбинационная люминесценция в области Т=80-400К
Моделирование рекомбинационных процессов
Выводы по главе
Заключение
Список сокращений
Список литературы Целью настоящей работы является комплексное экспериментальное исследование электронной структуры и процессов переноса энергии электронных возбуждений в кристаллах и кристалловолоконных образцах LGBO, легированных трехвалентными примесными ионами Ce3+(LGBO:Ce) с использованием техники люминесцентной и оптической спектроскопии в широких температурной (10-500К) и энергетической (1,2-21 эВ) области. Научная новизна. В широких температурном (10-500К) и энергетическом (1,2-21 эВ) диапазоне выполнено комплексное экспериментальное исследование параметров электронной структуры, процессов переноса энергии электронных возбуждений и их релаксации, фотолюминесцентных свойств, термостимулированных рекомбинационных процессов и процессов формирования радиационно-индуцированных дефектов в монокристаллических и кристалловолоконных образцах LGBO:Ce
Люминесценция, дефекты и электронные возбуждения LGBO (аналитический обзор)
Кристаллографическая структура
Электронная структура
Точечные дефекты
Люминесцентные свойства
Сцинтилляционные свойства
Методы выращивания кристаллов и синтеза кристалловолокон
Особенности и свойства кристалловолоконных образцов
Объекты и методы исследования
Экспериментальные методы исследования
Обработка экспериментальных данных и численные расчеты
Выводы по главе
Оптические свойства и низкоэнергетические электронные возбуждения
Низкотемпературные спектры отражения и возбуждения ФЛ
Дисперсионный анализ спектров отражения
Электронные возбуждения и оптические функции
Выводы по главе
Люминесценция точечных дефектов
Особенности низкотемпературной (Т=10К) фотом=люминесценции
Фотолюминесцентная спектроскопия при Т=80-400 К
Катодолюминесценция и короткоживущее оптическое поглощение
Выводы по главе
Термостимулированные рекомбинационные процессы
Низкотемпературная рекомбинационная люминесценция
Рекомбинационная люминесценция в области Т=80-400К
Моделирование рекомбинационных процессов
Выводы по главе
Заключение
Список сокращений
Список литературы Целью настоящей работы является комплексное экспериментальное исследование электронной структуры и процессов переноса энергии электронных возбуждений в кристаллах и кристалловолоконных образцах LGBO, легированных трехвалентными примесными ионами Ce3+(LGBO:Ce) с использованием техники люминесцентной и оптической спектроскопии в широких температурной (10-500К) и энергетической (1,2-21 эВ) области. Научная новизна. В широких температурном (10-500К) и энергетическом (1,2-21 эВ) диапазоне выполнено комплексное экспериментальное исследование параметров электронной структуры, процессов переноса энергии электронных возбуждений и их релаксации, фотолюминесцентных свойств, термостимулированных рекомбинационных процессов и процессов формирования радиационно-индуцированных дефектов в монокристаллических и кристалловолоконных образцах LGBO:Ce