Учебное пособие. - СПб.: Издательство СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013. - 80 с.
- ISBN 978-5-7629-1373-7
Посвящено дисциплинам "Физика конденсированного состояния", "Физика твердого тела", Физика полупроводников"
Рассматривается структура кристаллов, энергетический спектр электронов, зонная структура реальных полупроводников.
Рассчитываются примесные и экситонные состояния в полупроводниках.
Рассмотрены задачи по расчету равновесных носителей заряда и их подвижностей в различных полупроводниках.
Предназначено для бакалавров по направлениям 210100 "Электроника и наноэлектроника" и 222900 "Нанотехнология
и микросистемная техника". Может быть полезно для широкого круга специалистов в области физики твердого тела.
Посвящено дисциплинам "Физика конденсированного состояния", "Физика твердого тела", Физика полупроводников"
Рассматривается структура кристаллов, энергетический спектр электронов, зонная структура реальных полупроводников.
Рассчитываются примесные и экситонные состояния в полупроводниках.
Рассмотрены задачи по расчету равновесных носителей заряда и их подвижностей в различных полупроводниках.
Предназначено для бакалавров по направлениям 210100 "Электроника и наноэлектроника" и 222900 "Нанотехнология
и микросистемная техника". Может быть полезно для широкого круга специалистов в области физики твердого тела.