– 85 –
6.3. УПРАВЛЯЕМОЕ ЛАЗЕРНОЕ РАЗДЕЛЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ
КОНТРОЛИРУЕМЫМ ТЕРМОМЕХАНИЧЕСКИМ
РАСКАЛЫВАНИЕМ— ЛАЗЕРНОЕ СКРАЙБИРОВАНИЕ
Материалы, лазеры:
Кремниевые подложки — Nd–YAG
стекло, керамика, сапфир, феррит, кристаллы кварца — CO
2
Достоинства:
1. Отсутствие механического контакта, малая продолжительность воздействия, и малый размер зоны
воздействия; это гарантирует крутые края реза и малые остаточные напряжения, которые являют-
ся особенно важными в резке пластин GaAs с размещенными на них оптоэлектронными структу-
рами.
2. Отсутствие трещин в точках пересечения надрезов.
3. Возможность скрайбирования полупроводниковых пластин с нанесенным защитным покрытием,
так как скрайбирование сделано на пластинах с уже сформированными полупроводниковыми
структурами
4. Высокое качество резов (рис.6.25).
5. Возможность сокращения размера чипа до 0.25 mm
6. Высокая скорость скрайбирования, которая сильно увеличивает производительность — одна ла-
зерная установка для скрайбирования заменяет до 10 механических.
7. Возможность получения более глубокой (в 2–3 раза) и более регулярной резку управляемым спо-
собом, который существенно увеличивает выход годных изделий после резки до 96–98 % (алмаз-
ная резка дает 86–94 %) из–за того, что при механической резке нельзя управлять глубиной и ши-
риной реза.
8. Увеличение выхода годных чипов приводит к существенной экономии.