63
5. Коррекция показателей
Одним из показателей усилителей, применяемым в основном для оцен-
ки широкополосных усилителей, является добротность усилителя, под кото-
рой понимается собой площадь, ограниченная амплитудно-частотной харак-
теристикой
Q
у
= П
у
= К
о
·∆F ≈ К
о
·F
в
. (5.1)
Из приведенной формулы определения добротности следует, что ее
увеличение возможно либо за счет повышения номинального коэффициента
усиления К
о
, либо путем расширения диапазона усиливаемых частот ∆F.
Добротность (площадь усиления) усилителя –
есть площадь, ограниченная амплитудно-
частотной характеристикой в заданном диа-
пазоне частот.
5.1. Методы повышения коэффициента усиления
Номинальный коэффициент усиления определяется крутизной S актив-
ного элемента и приведенным сопротивлением нагрузки R
кн
в его выходной
цепи К
о
= S · R
кн
. Следовательно, повысить коэффициент усиления возможно
за счет выбора транзистора с большим коэффициентом передачи h
21
тока ба-
зы (S=h
21
/h
11
), выбором режима работы транзистора, при котором крутизна
имеет максимальное значение, или увеличив сопротивление в выходной цепи
транзистора. Применение указанных способов не рационально так как:
- крутизна для высокочастотных транзисторов прямо пропорциональна
току в рабочей точке S » I
ко
/j
т
, из чего следует необходимость либо исполь-
зования повышенного напряжения питания, либо малых сопротивлений в
выходной цепи транзистора. Последнее приводит к уменьшению уровня уси-
ления, поскольку в режиме холостого хода Ко = S· R
к
;
- увеличение сопротивления в выходной цепи коллектора дает эффект
повышения усиления. Однако, повышение сопротивления приводит к увели-
чению постоянной времени выходной цепи и соответственно к повышению
коэффициента частотных искажений и уменьшению площади усиления, а
также к уменьшению амплитуды выходного тока.
Одним из способов увеличения коэффициента передачи тока базы
транзистора, а, следовательно, и крутизны является использование состав-
ных транзисторов (схем Дарлингтона). Составные транзисторы можно рас-
сматривать как несколько каскадно соединенных транзисторов (рис.5.1), ка-
ждый из которых включен по своей схеме.