При сравнительно малых анодных напряжениях анодный ток
увеличивается с ростом напряжения U
a
. В режиме малых значений U
a
существенное влияние на распределение потенциала в межэлектродном
промежутке оказывает заполняющий его объемный заряд электронов,
эмиттируемых катодом. Это влияние таково, что только часть эмиттируемых
катодом электронов достигает анода, а другая их часть отбрасывается обратно к
катоду, т. е. анодный ток оказывается меньше тока эмиссии катода. С ростом
напряжения U
a
распределение потенциала изменяется так, что все большая
доля электронов достигает анода. При некотором анодном напряжении,
соответствующем точке а на рисунке, все эмиттируемые катодом электроны
достигают анода, т. е. анодный ток I
а
становится равным току эмиссии катода
I
ек
. Естественно ожидать, что дальнейшее повышение анодного напряжения не
должно сопровождаться увеличением анодного тока. Действительно, в точке а
наблюдается перегиб вольт-амперной характеристики. Происходит так
называемое насыщение анодного тока.
Однако, как показывает эксперимент, насыщение оказывается не полным.
Дальнейшее повышение анодного напряжения сопровождается ростом
анодного тока, хотя и более слабым, чем в режиме объемного заряда. Это
происходит потому, что возникающее при повышении напряжения U
a
ускоряющее электрическое поле у поверхности катода увеличивает эмиссию
катода. Рассмотрим закономерности этого явления.
Рис. 1.9. Снижение потенциального барьера под
действием внешнего ускоряющего электрического
поля:
1- барьер в отсутствие внешнего поля;
2 - энергия, сообщаемая электрону полем;
3 - барьер при наличии внешнего поля.
17