Лекция 15. Устройство и работа сканера
205
альную яму под затвором 2, и они могут находиться в этой области про-
должительное время. Время их нахождения в потенциальной яме опре-
деляется не только тормозящими полями на ее границе, но и отсутстви-
ем свободных электронов, с которыми дырки могли бы рекомбиниро-
вать. Это состояние в ПЗС называется режимом хранения, а напряже-
ние U
2
– напряжением хранения. Очевидно, что общий положительный
заряд под затвором задается напряжением на затворе, поэтому инжек-
ция дырок должна приводить к уменьшению ионизованных доноров
в обедненном слое, т. е. к уменьшению глубины этого слоя. В этом слу-
чае тормозящие поля исчезнут и инжектированные дырки равномерно
распределяться вдоль поверхности.
Максимальный заряд дырок под затвором равен
затв
SCUUQ
012max
)(
,
где
.затв
S
– площадь затвора, С
0
– удельная емкость диэлектрика,
С
0
=
0
/ d
ε
(d – толщина диэлектрика).
Положительный пакет, хранящийся под затвором, на нашем ри-
сунке под вторым, можно переместить под соседний затвор. Для реали-
зации этого процесса перемещения дырок приложим к затвору 3 отри-
цательное напряжение –U
3
, большее по абсолютному значению, чем
напряжение –U
2
на втором затворе (рис. 15.2, г). Тогда на границе вто-
рого и третьего затворов возникнет электрическое поле, способствую-
щее движению дырок к третьему затвору. Положительный пакет пере-
местится под третий затвор и здесь останется, поскольку следующий,
четвертый, затвор находится под напряжением |U
1
| < |U
3
|, и на границе
третьего и четвертого затворов будет действовать тормозящее для ды-
рок электрическое поле. Процесс перевода зарядового пакета от одного
затвора к другому называют режимом записи информации, или режи-
мом переноса, а напряжение U
3
, обеспечивающее этот перевод, – на-
пряжением записи.
Трехтактный регистр сдвига на ПЗС
Наиболее наглядно работу ПЗС мож
но рассмотреть на примере трех-
тактного сдвигового регистра, структура которого и схема его работы
представлены на рис. 15.3. На этом же рисунке показан и один из спо-
собов ввода и вывода дырочного пакета с помощью p-n-переходов.
На рис. 15.3, а на шину, соединенную с затворами 1, 4, 7,
10, пода-
ется отрицательное напряжение U
1
, на затворы 2, 5, 8, 11 – напряжение
U
2
, на затворы 3, 6, 9, 12 – напряжение U
3
. Под затворами 3, 6, 9, 12 на-
ходится самая глубокая потенциальная яма для дырок неосновных но-
сителей подложки из n-Si. Если в потенциальную яму под затвором 1
введен дырочный пакет, несущий какую-либо информацию, с помощью
инжекции через p-n-переход со стороны входа или освещением данного
участка, то дырки стекут в яму под затвором 3.