ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МЕТОД
Общим признаком полупроводников является величина их электропроводности,
которая занимает промежуточное место между электропроводностью металлов и
диэлектриков. Диапазон значений удельной электропроводности у полупроводников
лежит в пределах 10
-10
-10
4
Ом
-1
см
-1
, у металлов 10
5
-10
6
Oм
-1
см
-1
, у диэлектриков менее
10-
14
Oм
-1
см
-1
).
С точки зрения зонной теории полупроводниковыми свойствами обладают такие
вещества, ширина запрещенной зоны у которых не превышает 2 — 3 эВ. У диэлектриков
запрещенная зона значительно шире, у металлов она практически отсутствует.
Полупроводник в качестве детектора ионизирующих излучений выступает как аналог
ионизационной камеры, чувствительным объемом которой является твердое тело. Под
действием ионизирующего излучения в полупроводнике образуется свободные носители
заряда. Если к полупроводнику, находящемуся в поле ионизирующего излучения, приложить
разность потенциалов, то по изменению проводимости полупроводника можно делать вывод
о наличии и интенсивности ионизирующего излучения.
Использование твердого тела в качестве чувствительного объема позволяет за счет более
высокой плотности вещества (примерно в 1000 раз) увеличить энергию, поглощенную в
единице чувствительного объема. Кроме того, энергия, необходимая на образование одной
пары ионов соответствует ширине запрещенной зоны, то есть примерно на порядок ниже,
чем в газовых ионизационных камерах.
Таким образом в одном и том же поле излучения ионизационный эффект в
полупроводниковом детекторе будет примерно в 10
4
раз выше, чем в ионизационной камере,
то есть полупроводниковые детекторы обладают высокой чувствительностью даже при
малом чувствительном объеме.
Другой важной особенностью полупроводниковых детекторов по сравнению с газовыми
является высокая подвижность носителей заряда. Так например, у кремния при комнатной
температуре подвижность отрицательных носителей заряда (электронов) равна
1300 см
2
/В
.
с, а положительных носителей заряда (дырок) — 500см
2
/В
.
с. Для сравнения
подвижность носителей заряда в воздухе при нормальных условиях около 1 см
2
/В
.
с. Высокая
подвижность носителей заряда определяет малое время собирания электрических зарядов
на электроды, и как следствие, высокую разрешающую способность детектора. Кроме того,
малое время собирания существенно снижает вероятность рекомбинации положительных и
отрицательных зарядов, а большая подвижность зарядов при прочих равных условиях
обеспечивает большой ионизационный ток. В расчете на одинаковый ионизационный эффект
полупроводниковый детектор требует на несколько порядков меньшего электрического
напряжения, чем газовый.
Однако все сказанное относится к случаю, когда полупроводник находится при абсолютном
нуле температуры. В этом случае валентная зона, образованная энергетическими уровнями
внешних валентных электронов, заполнена полностью, а зона проводимости не содержит
свободных электронов, то есть полупроводник является изолятором, и наложение внешнего
электрического поля не приведет к появлению в нем электрического тока.
В реальных условиях, вследствие сравнительно малой ширины запрещенной зоны,
электроны в полупроводнике могут переходить из валентной зоны в зону проводимости