27
ОЗУ с изменением фазы
С
овременные устройства хранения данных
основаны на разных технологиях, имеющих
свои преимущества и недостатки. Магнито-
механические накопители на жестких дисках (обычно
ипользующиеся в современных настольных ПК)
имеют очень высокую плотность элементов памяти и
для хранения данных не требуют присутствия
постоянного источника электрического тока, но
доступ к данным в них замедлен. Динамическое ПЗУ
(запоминающее устройство с произвольной
выборкой) DRAM, наоборот, обеспечивает быстрый
доступ, но данные должны постоянно «обновляться»
посылами электрического тока. Флэш-память,
используемая, например, в плеерах MP3, мобильных
телефонах и цифровых камерах, сохраняет данные
без постоянного источника тока, но работает не так
быстро, как динамические ПЗУ и может быть
использована примерно миллион раз. Будущим
нанотехнологическим концепциям хранения данных,
объединяющим названные выше преимущества:
высокую плотность элементов памяти, скорость,
хранение данных без источника тока и долгий срок
службы, - удовлетворяют, как представляется сегодня,
магнитные ПЗУ (MRAM) и описанные ниже ПЗУ с
изменением фазы.
Твердая материя может находиться в двух
противоположных состояниях: кристаллическом,
когда атомы расположены в строгом порядке, как
сосны на лесопосадках, или аморфном, когда атомы
расположены бессистемно. Обычными аморфными
твердыми телами являются некоторые виды стекла,
например, кварцевое стекло; то же самое вещество,
диоксид кремния, в царстве минералов существует в
кристаллической форме, и называется горным
хрусталем. В будущем мы еще много услышим об
этих двух состояниях вещества – кристаллическое и
аморфное - поскольку они, вероятно, сыграют
определяющую роль в запоминающих устройствах
будущего. Некоторые твердые вещества более или
менее легко позволяют переводить себя из
аморфного состояния в кристаллическое и наоборот;
такое изменение фазы, которое обычно достигается
тепловым воздействием, нашло широкое применение
в среде оптических ЗУ. Например, во время записи на
перезаписываемый DVD с помощью теплового шока
от лазерного импульса специальное покрытие на
диске изменяет его фазу на конкретном участке с
«кристаллической» на «аморфную», тем самым
изменяя его отражательные свойства и делая
возможным запись считываемой битовой
комбинации. Более продолжительный и сильный
лазерный импульс вновь превращает аморфный
участок в кристаллический, с тем чтобы диск DVD
можно было перезаписать.
Вещества с изменяющейся фазой, по всей видимости,
ждет долгая служба в электронных запоминающих
устройствах, или ПЗУ с изменением фазы. В этом
случае фазовый переход будет осуществляться не
оптическим, а электронным способом. Короткие
импульсы тока делают вещество аморфным и
придают ему высокое электрическое сопротивление,
продолжительные импульсы возвращают его в
кристаллическое состояние с низким
сопротивлением. Для считывания информации
запрашивается сопротивление элементов памяти.
С помощью ПЗУ с изменением фазы станет
возможным достичь такой плотности элементов
памяти, что можно будет уместить терабит
информации – эквивалент десятичасового видео
лучшего качества – на пятачке размером с почтовую
марку. С такой технологией ноутбуки будут начинать
работу с того места, где владелец ее закончил –
начальная загрузка системы станет не нужна.
Справа: слои
двоичного
запоминания в ПК
можно переводить из
аморфного
состояния в
кристаллическое и
обратно с помощью
импульсов тока и
тепла разной
длительности. Эта
конструкция,
запатентованная
Институтом
полупроводниковой
электроники (IHT,
RWTH,Ахен)
сочетает быструю
память и малое
потребление энергии.
Слева: Схема
компонента ПЗУ с
изменением фазы.