Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях

Подождите немного. Документ загружается.

101

стро растущий интерес к таким системам объясняется возможностью

управления свойствами этих материалов при помощи магнитного поля, не

изменяя при этом их жидкого состояния и, как следствие, широким при-

менением феррожидкостей в современных высоких технологиях. Для ста-

билизации магнитных жидкостей традиционно используется два метода:

создание стерических оболочек на поверхности феррочастиц и стабилиза

ция за счет формирования двойных электрических слоев. Последний спо-

соб используется, в частности, при создании магнитных наноколлоидов на

водных основах, использование которых допустимо в медицинской прак-

тике. Необходимо отметить, что в последнее десятилетие активно изуча-

ются возможности лечения раковых опухолей с использованием ферро-

жидкостей и разрабатываются новые методы магнитного транспорта

ле-

карств [1]. Очевидно, что исследование поведения и внутренней структу-

ры таких систем вызывает первостепенный интерес. В настоящей работе

предложена модель, описывающая межчастичные корреляции и струк-

турный фактор рассеяния ионностабилизированных феррожидкостей.

Основные идеи построенной модели основываются на представлении

феррочастиц системой монодисперсных сфер. Для моделирования меж-

частичного отталкивания двойных электрических слоев феррочастиц в

ионностабилизированной феррожидкости используется потенциал Юкава.

С помощью формализма [2], позволяющего рассматривать упруго-

отталкивающиеся частицы как систему твердых сфер, имеющих эффек-

тивный диаметр, вводится диполь-дипольный потенциал. При построении

парной корреляционной функции используется метод диаграмм [3], даю-

щий возможность учесть влияние соседних феррочастиц на парные взаи-

модействия. Основная характеристика внутренней структуры феррожид-

кости –

структурный фактор – определяется с помощью фурье-преобразо-

вания построенной парной корреляционной функции.

В результате, разработана модель межчастичного взаимодействия в

ионностабилизированной магнитной жидкости и определен структурный

фактор рассеяния для различных физико-химических параметров систе-

мы. В присутствии внешнего магнитного поля наблюдается анизотропия

структурного фактора. Получено хорошее согласование теоретических

результатов и данных компьютерного

моделирования [4].

Список литературы

Hergt R., Dutz S., Muller R., Zeisberger Magnetic particle hyperthermia: nanoparticle mag-

netism and materials development for cancer therapy // J. Phys. Cond. Mat., vol. 18, N 38, p.S2919

(2006).

Barker J.A., Henderson D. Perturbation theory and equation of state for fluids. II. A Suc-

cessful theory of liquids.// J. Chem.Phys., v. 47, p.4714 (1967).

Балеску Р. Равновесная и неравновесная статистическая механика // М.:Мир, 1978. т.

1. c. 405

102

4. Meriguet G., Jardat M., Turq P. Structural properties of charge-stabilized ferrofluids under a

magnetic field: а Brownian dynamics study. // J. Chem.Phys, v. 121, N 12, p. 6078 (2004).

Э.Р. ЖДАНОВ

Башкирский государственный педагогический университет им. М. Акмуллы, Уфа

О ВОЗМОЖНЫХ МОЛЕКУЛЯРНЫХ МЕХАНИЗМАХ

ПЕРЕХОДА В ВЫСОКОПРОВОДЯЩЕЕ СОСТОЯНИЕ

ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПОЛИМЕРОВ

В рамках исследования перехода в высокопроводящее состояние полимерных

диэлектриков проведены квантово-химические расчеты химической и электрон-

ной структуры несопряженного полимера полидифениленфталида. Показано, что

в полимере могут быть реализованы две разные геометрические структуры, разде-

ленные относительно малой разницей в полной энергии основного состояния.

Показано также, что оптимизация химической структуры полимеров позволяет

создать

как материалы, предназначенные для широкого круга потребителей, так и

узко специфического, как, например, материалы для реализации квантоворазмер-

ных эффектов.

Проблема электронной неустойчивости тонких нанометровой толщи-

ны диэлектрических пленок объединяет и фокусирует на себе многие со-

временные проблемы физики твердого тела, наноэлектроники и материа-

ловедения. Полимерные диэлектрики, обладая уникальным сочетанием

электронных, механических и химических свойств, представляют собой

удобный объект для эффективной реализации и изучения многих физиче-

ских явлений.

Ярким примером является

обнаруженное относительно недавно явле-

ние необычайно высокой электропроводности в тонких пленках полимер-

ных диэлектриков, которая возникает без какого-либо допирования [1].

Проведенные многочисленные исследования показали, что это явление

может иметь отношение к широкому спектру физических процессов, ко-

торые могут происходить в диэлектрических, полупроводниковых и ме-

таллических материалах пониженной размерности, включая и

биологиче-

ские объекты (мембраны, ДНК). По-видимому, возникновение высокой

проводимости является результатом перестройки энергетической зонной

структуры тонкой полимерной пленки вследствие нелинейного взаимо-

действия неравновесного объемного заряда с органической средой. Одна-

ко до сих пор отсутствует непротиворечивая модель данного явления. В

тоже время, очевидно, что необходимо исследовать механизм преобразо-

103

вания электронной энергетической структуры, происходящий в результа-

те того или иного воздействия на полимер.

С целью ответа на представленные вопросы были проведены исследо-

вания химической и электронной структуры несопряженного полимера

полидифениленфталида численными (квантово-химическими) методами,

которые показали, что в полимере могут быть реализованы две разные

геометрические структуры, разделенные относительно малой разницей

полной энергии основного состояния.

Очевидно, что результаты такого расчета нельзя непосредственно ис-

пользовать для объяснения трансформации энергетической структуры

полимерного материала при переходе из низкопроводящего состояния в

высокопроводящее, так как расчет был сделан для индивидуальных моле-

кул. В связи с этим, в нем не могла быть учтена специфика перехода от

газовой фазы к конденсированной. Подобный переход накладывает серь-

езные ограничения на молекулярную динамику и энергетику.

В связи с поставленными вопросами возникает необходимость прове-

дения молекулярно-динамических, квантово-химических и эксперимен-

тальных исследований химической и электронной структуры молекуляр-

ных наносистем, созданных на основе функциональных комплексов.

Список литературы

Лачинов А.Н., Воробьева Н.В. Электроника тонких слоев широкозонных полимеров.

// УФН, т. 176, №12, с. 1249 (2006).

А.В. ЗАБЛОЦКИЙ

, А.С. БАТУРИН

, В.C. БОРМАШОВ

Р.М. КАДУШНИКОВ

, Н.А. ШТУРКИН

Московский физико-технический институт

Компания «СИАМС», Екатеринбург

КОМПЬТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

РАСТРОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО МИКРОСКОПА

ДЛЯ ЦЕЛЕЙ НАНОМЕТРОЛОГИИ

Конечный размер зонда микроскопа ведет к появлению расхождения между

формой получаемого изображения и реальным рельефом нанообъекта. Для полу-

чения метрологической информации предлагается дополнять данные, полученные

путем прямых измерений, результатами моделирования тех же самых измерений с

помощью программного обеспечения эмулирующих работу РЭМ

. Параметры

модельного объекта варьируются для получения наилучшего совпадения между

реальным и модельным изображением. Погрешность в определении значений па-

104

раметров модельного объекта определяется из погрешностей экспериментального

оборудования и кросскорреляционных кривых зависимостей между параметрами

модельного объекта и расчетного изображения.

Характерной особенностью проведения измерений в микро- и, особен-

но, в нано- диапазоне является сопоставимость размеров средства измере-

ния, например электронного зонда растрового электронного микроскопа

(РЭМ), что ограничивает применимость РЭМ в качестве средства измере-

ний. Для преодоления этой проблемы предложена концепция «виртуаль-

ного микроскопа», одной из составляющих которого является компью-

терная

модель РЭМ [1].

Существует ряд классических работ, посвященных моделированию

РЭМ [2-4], однако авторы этих работы были ограничены в вычислитель-

ных мощностях, и не ставили задачи моделирования получения изобра-

жений с помощью РЭМ целиком, а ограничивалось рассмотрением лишь

определенных аспектов этого процесса. Мы предлагаем полную модель

значимых процессов РЭМ, адаптированную под возможность быстрого

расчета

. Выполняется моделирование следующих элементов и проессов в

РЭМ: падающий на образец пучок электронов, процесс сканирования

электронным лучом, процесс взаимодействия электронов с образцом,

процесс сбора вторичных электронов и их детектирование.

Результаты модельных измерений по приведенной схеме параметри-

зуются и устанавливаются кросскорреляционные зависимости между па-

раметрами модельного объекта и полученного модельного изображения.

Параметры модельного объекта варьируются для получения наилучшего

совпадения между реальным и модельным изображением. Погрешность в

определении значений параметров модельного объекта определяется из

погрешностей экспериментального оборудования и кросскорреляционных

кривых. Таким образом, к результатам экспериментальных измерений

добавляется данные о погрешностях измерений, возникающих из физиче-

ских принципов работы РЭМ и неидеальности измерительного оборудо-

вания

Работа проведена в рамках гос.контракта номер 02.513.11.3224.

Список литературы

Zablotskiy A.V., Baturin A. S., Bormashov V.S., Kadushnikov R.M., Shturkin N.A. (2007)

Conception of “virtual microscope” and its application in nanometrology, Book of abstracts Inter-

national Conference “Mirco- and nanoelectronics – 2007”, P2-42

Joy D.C. (1995) Monte Carlo Modeling for Electron Microscopy and Microanalysis. Ox-

ford University Press, New York

Reimer L. and Krefting E.R. (1976), in Use of Monte Carlo Calculations in Electron Probe

Microanalysis and Scanning Electron Microscopy (Eds. K.F.J. Heinrich, D.E. Newbury, and H.

105

Yakowitz (U.S. Dept. of Commerce/National Bureau of Standards), NBS Special Publication #460,

p.45

Новиков Ю.А, Раков А.В., Стеколин И.Ю.. Вторичная электронная эмиссия рельеф-

ной поверхности: Исследование в растровом электронном микроскопе // Поверхность. Физи-

ка, химия, механика. 1994. № 4. С 75-84.

В.Г. ЗАВОДИНСКИЙ

1,2

Институт материаловедения ХНЦ ДВО РАН,

Тихоокеанский государственный университет

КВАНТОВО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ

УПРУГИХ СВОЙСТВ НАНОЧАСТИЦ И ПРОЦЕССОВ

ИХ АГЛОМЕРАЦИИ

Методами теории функционала электронной плотности и псевдопотенциала

исследована реакция наночастиц различной природы (металлы, ковалентные ма-

териалы, оксидные диэлектрики) на растяжение, сжатие и слипание. Выявлено,

что величина модуля упругости наночастиц, как правило, в несколько раз превы-

шает соответствующие значения для массивного материала. Сближение наноча-

стиц вызывает, как правило, их самопроизвольное слипание (агломерацию

), со-

провождающееся заметным изменением начальной формы и электронной струк-

туры.

В даннай работе проведено сравнительное теоретическое изучение уп-

ругих свойств наночастиц с различными типами межатомных связей: ме-

таллической, ковалентной и ионной. В качестве модельных материалов

выбраны алюминий, кремний и диоксид циркония.

Для моделирования использован спин-поляризованный вариант метода

функционала электронной плотности (пакет FHI96spin [1], хорошо заре-

комендовавший себя при изучении атомной и электронной

структуры ме-

таллических, полупроводниковых и диэлектрических систем, в том числе

и наноразмерного масштаба. Псевдопотенциалы вычислялись с помощью

пакета FHI98pp [2] и тестировались на массивных материалах.

Расчеты показали, что наночастицы с металлической, ковалентной и

ионной связями ведут себя по-разному под действием механических де-

формаций. Модуль упругости алюминиевых частиц сильно (нелинейно)

зависит от

деформации; для кремниевых частиц (с ковалентными связя-

ми) зависимость модуля упругости от деформации линейная; а у наноча-

стиц диоксида циркония (с ионной связью) модуль упругости является

константой. В целом можно сказать, что упругие характеристики наноча-

стиц существенно превышают соответствующие величины, характерные

для массивных материалов.

106

Механическое сближение металлических (Al) наночастиц на расстоя-

ние менее нанометра ведет к их самопроизвольному притяжению. Части-

цы растягиваются и стремятся не только прийти в контакт (Al

+Al

), но и

частично проникнуть друг в друга ((Al

+Al

), за счет чего достигается их

хорошее сцепление.

Кремниевые частицы, в зависимости от своей конфигурации, могут

либо слипаться самопроизвольно (Si10+Si10), либо требовать для агломе-

рации некоторой активации (Si5+Si5). В том и другом случае, конечные

конфигурации не являются энергетически оптимальными, не обладают

запрещенной зоной, характерной для равновесных кремниевых наноча-

стиц, т.е. требуют дальнейшей

термической обработки.

Взаимодействие частиц диоксида циркония при слипании зависит от

их взаимной ориентации. При этом агломерация может приводить как к

формированию диэлектрических свойств, так и к их исчезновению. Суще-

ственную пользу может оказать предварительная механоактивации, при

которой происходит раскалывание равновесных стехиометрических час-

тиц. В процессе агломерации расколотые легко частицы объединятся и

формируют равновесные структуры с высокими диэлектрическими свой-

ствами.

Список литературы

Bockstedte M., Kley A., Neugebauer J., Shceffler M. Density-functional theory calcula-

tions for poly-atomic systems// Comp. Phys. Commin, 1997.V. 107, p. 187-222.

Fuchs M. Ab initio pseudopotentials for electronic structure calculations of poly-atomic

systems using density-functional theory. // Comp. Phys. Commin. 1999, V. 119, p. 67-98.

Г.И. ЗЕБРЕВ

, М.С. ГОРБУНОВ

Московский инженерно-физический институт (государственный университет)

НИИ системных исследований РАН

МНОГОУРОВНЕВОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ

В СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ

Описаны комплексные подходы к моделированию радиационных эффектов на

разных уровнях с целью оптимизации методов проектирования интегральных

схем специального применения.

Функционирование микроэлектронных систем в условиях воздействия

ионизирующих излучений (космос, военные применения, ускорители час-

тиц высоких энергий, атомные станции и т.п.) предполагает разработку

107

специальных методов их проектирования и прогнозирования их радиаци-

онного отклика [1]. Проектирование специализированных интегральных

схем высокой степени интеграции (с технологической нормой менее 100

нм) является комплексной задачей, включающей моделирование на физи-

ческом, схемотехническом и системном уровнях описания, прогнозирова-

ние процессов деградации в материалах, отдельных транзисторах и схе-

мотехнических блоках.

Многоуровневый подход при прогнозировании

радиационной стойко-

сти интегральных микросхем и ее оптимизации при проектировании в

нашем случае включает в себя следующие пункты:

• Физическое моделирование процессов деградации в материалах и

приборах [2,3].

• Физическое моделирование радиационно-индуцированных токов

утечки в современных приборах технологии «кремний-на-изоляторе» [4-

6].

• Моделирование процессов ионизации в материалах микроэлек-

тронных схем при воздействии одиночных высокоэнергетических частиц

(тяжелых ионов, протонов и нейтронов) [7, 8].

• Схемотехническое моделирование процессов обратимых и необра-

тимых сбоев и отказов в цифровых элементах, вызванных прохождением

отдельной ионизирующей частицы [4, 9].

• Разработка экспериментальных методов характеризации парамет-

ров чувствительности микроэлектронных компонентов и методов и про-

граммы расчета интенсивности сбоев от одиночных ионизирующих час-

тиц космического пространства [10, 11].

Все описанные разработанные модели разного уровня объединены и

использованы для комплексного решения задачи обеспечения радиацион-

ной стойкости суб-100 нм интегральных схем [12]. Отличительной осо-

бенностью многоуровневого иерархического подхода

к моделированию

радиационных эффектов в интегральных схемах является гибкость и аде-

кватность с возможностью передачи данных между разными уровнями.

Например, выходные результаты физического моделирования являются

входными для схемотехнического моделирования с последующей переда-

чей на системный уровень.

Список литературы

1. Согоян А.В., Зебрев Г.И., Никифоров А.Ю., Першенков В.С., Чумаков А.И. “Поверх-

ностные радиационные эффекты в интегральных схемах,” в кн. Модель космоса: Научно-

информационное издание: В 2 т. / Под ред. М.И. Панасюка, Л.С. Новикова., 2007

2. Зебрев Г.И. «Моделирование эффекта низкой интенсивности в

толстых изолирующих

слоях современных интегральных схем», Микроэлектроника, Т.35, № 3, с. 209-216, 2006

108

3. Zebrev G.I., Pavlov D.Y. et al., “Radiation Response of Bipolar Transistors at Various Irra-

diation Temperatures and Electric Biases: Modeling and Experiment”, IEEE Trans. on Nuclear

Science, vol. 53, no. 4, pp. 1981-1987 (2006).

4. Zebrev G.I., Gorbunov M.S., Shunkov V.E. et al., “Physical Modeling and Circuit Simula-

tion of Hardness of SOI Transistors and circuits for Space Applications,” report presented to

RADECS 2006.

5. Zebrev G.I., Gorbunov M.S. “Diffusion-Drift Model of Fully Depleted SOI MOSFETs”, 25

International Conference on Microelectronics Proceed. pp.511-514, 2006

6. Zebrev G.I., Gorbunov M.S., Pershenkov V.S. “Radiation Induced Leakage Due to Sto-

chastic Charge Trapping in Isolation Layers of Nanoscale MOSFETs”, a report at International

Conference on Micro- and Nanoelectronics, ICMNE-2007, Zvenigorod, 2007

7. Зебрев Г.И. «Моделирование ионизационного воздействия нейтронов на элементы

КМОП-технологий высокой степени интеграции», Микроэлектроника, Т.35, №.3, с. 217-229,

2006.

8. Useinov R.G., Zebrev G.I. et al., “Physical Model of Single Ion Induced Hard Errors,” in

Proc. RADECS 2003, Noordwijk, The Netherlands, pp. 249-252, 2003

9. Shunkov V.E., Gorbunov M.S., Zebrev G.I., Vasilegin B.V. “Role of Parasitic Bipolar Ef-

fect in Modern Partially Depleted SOI CMOS Technologies”, a report at International Conference

on Micro- and Nanoelectronics, ICMNE-2007, Zvenigorod, 2007

10. Anashin V.S. , Emelyanov V.V. , Zebrev G.I. , Ishutin I.O. , Kuznetsov N.V. ,

Sharkov B.Yu. , Titarenko Yu.A. , Batyaev V.F. , Borovlev S.P. “Accelerator Based Facility for

Characterization of Single Event Upsets (SEU) and Latchups (SEL) in Digital Electronic Compo-

nents”. report at International Conference on Micro- and Nanoelectronics, October 2007, Zvenig-

orod, Russia

11. Zebrev G.I., Ladanov I. A. et al. “PRIVET – A Heavy Ion Induced Single Event Upset Rate

Simulator in Space Environment”, 8th European Conference on Radiation and Its Effects on Com-

ponents and Systems Proceedings, 2005. RADECS 2005.

12. Zebrev G.I., Gorbunov M.S., Osipenko P.N. “Multi-scale Modeling of Low Dose-Rate To-

tal Dose Effects in Advanced Microelectronics,” a report accepted to International Conference on

Microelectronics (MIEL 2008)

Г.И. ЗЕБРЕВ

Московский инженерно-физический институт (государственный университет)

МОДЕЛИРОВАНИЕ ГРАФЕНОВОГО

ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

На основе диффузионно-дрейфового приближения и явного решения уравне-

ния непрерывности для плотности тока в канале впервые разработана замкнутая

модель вольтамперной характеристики графенового полевого транзистора.

Открытый недавно открытый графен (моноатомный слой углерода с

сотовой структурой) обладает замечательной механической и химической

стабильностью и уникальными электронными свойствами [1]. В частно-

сти, электроны и дырки в графене обладают безщелевым и безмассовым

энергетическим спектром

(

)

pvp

±=ε , означающим, что носители не

109

имеют эффективной массы и движутся с постоянной скоростью v

≅ 10

см/с, вне зависимости от их импульса. Приложенное электрическое поле

может изменять импульс, энергию, направление скорости, но не ее абсо-

лютную величину. Прикладывая напряжение разной полярности на затво-

ре в структурах затвор-диэлектрик-графен, можно индуцировать в графе-

не поверхностные плотности электронов и дырок до значений ~ 10

см

–2

Удельное сопротивление графена при нулевом затворном напряжении,

формально соответствующему нулевому заряду, остается конечным и со-

ставляет величину порядка нескольких кОм/квадрат, что затрудняет пря-

мое использование графеновых структур в качестве полевых транзисто-

ров. Эта проблема может быть решена с помощью открытия энергетиче-

ской щели за счет поперечного квантования в графеновых

нанолентах,

либо за счет химического допирования. Благодаря исключительно высо-

кой подвижности электронов и дырок в графене (до 2

×10

см

/B×c [2])

при комнатной температуре, графен является перспективным материалом

для будущей наноэлектроники и главным кандидатом для замены в буду-

щем господствующей в настоящее время кремниевой КМОП технологии.

Несмотря на экзотические свойства графена, электрические характери-

стики затворных графеновых структур имеют много общих черт с тради-

ционными кремниевыми МОП структурами (см. рис.1). В настоящее

мо-

мент развернулась активная технологическая гонка по созданию прием-

лемой технологии полевых графеновых транзисторов с тонким верхним

подзатворным окислом [3-4]. В частности, в [5] сообщается о создании

транзистора на графеновой наноленте с отношением токов в открытом и

закрытом состоянии

OFFON

II 10

затвор

изолято

графен

Рис. 1. Зонная диаграмма графенового полевого транзистора

110

В данном докладе, основываясь на явном решении уравнения непре-

рывности для плотности тока в канале, записанного в диффузионно-

дрейфовом приближении, получено явное и замкнутое выражение для

вольтамперной характеристики графенового полевого транзистора [6]. В

докладе обсуждается также специфические черты электростатика графе-

новых затворных структур, а также некоторые общие проблемы кинети-

ческого описания и

транспорта носителей в графене [7].

Список литературы

1. Novoselov K.S.. Geim A.K., et al., Science, vol. 306, pp. 666-669, 2004.

2. Morozov S.V., Novoselov K.S., Katsnelson M.I. et al., “Giant intrinsic carrier mobilities in

graphene and bilayer”, Phys. Rev. Lett., 100, 016602 (2008)

3. Lemme M.C., Echtermeyer T.J., Baus M., Kurz H. “A Graphene Field Effect Device”, IEEE

Electron Device Letters, Vol. 28, No. 4, April 2007

4. Wu Y.Q. et al., “Top-gated FET formed by decomposition of SiC”, arXiv:0802.4103v1

[cond-mat.mes-hall], February 2008.

5. Xiaolin Li et al, “Chemically Derived, Ultrasmooth Graphene Nanoribbon Semiconductors”,

Science, 29 February 2008:Vol. 319. no. 5867, pp. 1229-1232

6. Zebrev G.I. “Electrostatics and Diffusion-Drift Transport in Graphene Field Effect Transis-

tors”, a talk will be presented at 26

International Conference on Microelectronics (MIEL-2008),

May 2008

7. Zebrev G.I. “Graphene Nanoelectronics: Electrostatics and Kinetics”, a talk presented at In-

ternational Conference on Micro- and Nanoelectronics (ICMNE-2007), Zvenigorod, October, 2007.

Н.Е. ЗЕЙН

РНЦ «Курчатовский институт»

О ВЛИЯНИИ ЭФФЕКТОВ МНОГОЭЛЕКТРОННЫХ

КОРРЕЛЯЦИЙ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ

НАНОТРУБОК И НАНОПРОВОЛОК

Методом функций Грина в синтетическом приближении GW + Динамическая

Теория Среднего Поля вычислена электронная структура ряда углеродных нанот-

рубок и нанопроволок на основе 3d переходных металлов. Данный подход суще-

ственно (~50%) улучшает согласие с экспериментом по сравнению со стандарт-

ными вычислениями методом функционала плотности. Обсуждается влияние эф-

фектов корреляций на электронную структуру квазиодномерных нанопроволок на

основе 3d элементов.

В настоящее время подавляющее большинство расчётов электронной

структуры как в регулярных кристаллах, так и в наноструктурах, делается

на основе метода функционала плотности (ФП). Хорошо известны как

достоинства, так и недостатки этого метода: он даёт блестящее согласие с