Хочется особо отметить результаты комплексной диагностики, которая была выполнена по заказу наших партнеров из
фирмы "Bayer AG" в Лаборатории "Bayer Industry Services" (Германия).
Иллюстрации результатов диагностики представлены на рис. 5.9 и в целом подтвердили ранее полученные данные.
Как известно, существует большое количество различных видов нанокластеров, наносистем и наноструктур. Одной из
основных характерных черт таких объектов является наличие у них развитой поверхности. Поверхность конденсированного
состояния вещества обладает столь большим разнообразием свойств и применений, что это стимулировало развитие извест-
ных и привело к появлению ряда новых специфических методов. Это, прежде всего, методы, основанные на регистрации элек-
тронов в различных применениях: дифракции электронов, полевые методы – полевая электронная и ионная спектроскопия
(спектроскопия электронного и ионного проектора), различные виды электронной микроскопии, электронная РФС-, УФС- и
Оже-спектроскопия, далее следует дифракция рентгеновского излучения с применением синхротронного излучения, методы
EXAFS, XANS. Методы оптической, ИК- и спектроскопии комбинационного рассеяния, мессбауэровской спектроскопии
весьма эффективны как для изучения состояния поверхности, так и для изучения внутренних слоев нанокластеров. Наконец,
остаются, конечно, востребованными хорошо разработанные методы ЯМР и ЭПР радиоспектроскопии.
Основным прямым методом изучения структуры полимеров является рентгеноструктурный анализ (РСА) [4], позво-
ляющий получить информацию о конформации молекул, их взаимном расположении в пространстве, оценивать фазовый со-
став системы, проводить анализ текстур, определять коэффициенты упаковки, величины плотности и т.д.
С помощью РСА могут быть оценены такие важнейшие параметры структуры, определяющие макросвойства материа-
лов, как конформационные характеристики цепей, поперечные и продольные размеры областей когерентного рассеяния
(кристаллитов, упорядоченных мезоморфных и неупорядоченных аморфных областей), степень ориентации макромолекул,
степень кристалличности, параметры элементарных ячеек, тип кристаллографической решетки. В рентгенографии поликри-
сталлов, а следовательно, и полимеров существует несколько методик оценки таких характеристик.
Межплоскостные расстояния
d
определяют по угловому положению максимума соответствующего рефлекса по уравне-
нию Вульфа-Брэгга
2
d
sinθ = λ,
где θ – угол дифракции; λ = 0,15418 нм – длина волны медного характеристического рентгеновского излучения.
При прохождении первичного пучка через образец рентгеновские лучи частично поляризуются, что приводит к ослаб-
лению интенсивности рассеяния в зависимости от угла дифракции. Для нахождения экспериментальной интенсивности
I
эксп
в отсутствие поляризации вводится поправка, которая в случае монохроматизации первичного пучка путем отражения от
кристалла-монохроматора определяется выражением:
P
(θ) = (1 + cos
2
2α
·
cos
2
2α) / (1 + cos
2
2α),
где 2α – угол отражения от соответствующей плоскости кристалла.
Помимо этого, при взаимодействии рентгеновских лучей с веществом происходит частичное поглощение лучей образ-
цом. Ослабление интенсивности зависит от природы рассеивающего вещества (атомного номера), от длины волны исполь-
зуемого излучения, формы образца и угла дифракции. В случае плоского образца, при съемке на прохождение, поправка на
поглощение может быть вычислена по формуле:
A
(θ) = (1 –
e
–µ
lz
) / (µ
lz
),
где
l
– толщина образца; µ – линейный коэффициент поглощения;
z
= = (1 – cos
2θ) / cos
2θ.
Размытие электронного облака, находящегося вместе с атомами вещества в тепловом движении, приводит к увеличе-
нию разности фаз между волнами, рассеянными различными частями атома, что, в свою очередь, приводит к дополнитель-
ному ослаблению дифрагированных лучей.
Методика съемки и определения размеров областей когерентного рассеяния разработана (ОКР) Зубовым [5] и основана
на оценке дифракционного уширения линии с последующим расчетом по формуле Селякова-Шеррера:
L
= λ
Кα1
/ (∆
0
ист
cos
θ).
Рассчитанные по приведенной методике эффективные размеры кристаллитов практически не зависят от толщины ис-
следуемого образца. Ошибка в определении
L
составляет 10 %. Оценка показала, что такая точность позволяет уверенно из-
мерять размеры областей когерентного рассеяния до 100 нм.
Степень кристалличности определяют по формуле [6]:
С
(%) =
I
k
/ (
I
k
+
KI
a
),
где
I
k
– интегральная интенсивность кристаллитных рефлексов;
I
a
– интегральная интенсивность аморфного гало;
K
– коэф-
фициент, учитывающий поляризационный и монохроматический факторы.
В основе метода малоуглового рассеяния лежит явление рассеивания рентгеновских фононов на оптических неодно-
родностях образца (кластерах, порах) с размерами несколько десятков нанометров. Измеряется зависимость спада интенсив-
ности рассеянного излучения от угла рассеяния в угловом диапазоне от нескольких угловых минут до нескольких градусов.
На дифрактограмме в малоугловой области также могут проявляться дифракционные максимумы, соответствующие отраже-
ниям от атомных плоскостей с межплоскостным расстоянием от 10 до 50 нм. Периодическая структура может быть образо-
вана упаковкой полимерных кластеров, молекулярных агрегатов. Анализ кривой спада интенсивности рассеянного излуче-
ния дает возможность оценить средний размер кластера (области неоднородности), а также распределение кластеров по раз-
мерам и форме.
Известно, что атомная структура является для рентгеновских лучей трехмерной дифракционной решеткой, поэтому
особенности трехмерного расположения атомов в пространстве находят свое отражение в наблюдаемых дифракционных
картинах. Только производя обработку экспериментальных зависимостей интенсивности рассеяния рентгеновских лучей,
можно получить количественную информацию об особенностях расположения атомов в той или иной фазе углерода. При