35
Если объеденить вещества А и В в КМ и подействовать на него свойством Х ,
то свойство У, выходя из вещества А, действует на вещество В, а на выходе
из КМ получается свойство Z. Внутри КМ мы не видим проявления свойства
У. Поэтому можем представить, что на КМ действует свойство Х, а выходит
свойство Z. Пример такого КМ. Вещество А сцинтиллирует (светится) под
действием потока корпускул (частиц). Вещество В увеличивает свою
электропроводность под действием освещения (фотопроводник). В целом
такой КМ будет увеличивать свою электропроводность под действием потока
корпускул. Подбирая пары веществ А и В с разными свойствами Х, У и Z,
можно получить искусственный КМ
с такой парой свойств Х- Z, которой нет
у природных веществ. Все это открывает большие возможности по созданию
и применению принципиально новых КМ.
Если свойства компонентов значительно отличаются, то изменение
свойства может быть другим и более сложным. Изменение зависит еще от
структуры КМ: дисперсные, волокнистые, 1 -, 2 – или 3-х мерное
расположение включений. Это наглядно
можно представить по
электропроводности КМ, состоящего из диэлектрика и металла. Для
дисперсного КМ электропроводность будет определяться
электропроводностью матрицы. Электропроводность волокнистого КМ
будет зависеть от электропроводности включения и схемы его расположения.
Существенны две задачи: найти способ усреднения и определить
зависимость параметров композита от геометрической структуры.
Усреднение не арифметическое, а некое функциональное. То есть , задача
теории состоит в предсказании связи свойств композита со свойствами его
составляющих по известным параметрам матрицы, наполнителя и их
компоновке, размеру и форме изделия, удовлетворяющим требуемым
условиям работы. Под параметрами понимают прочность и жесткость,
теплопроводность, коэффициент теплового расширения, коэффициент
Пуассона и др., формирование которых преследуется при разработке
композита.
Ряд электрических, оптических, магнитных свойств композитов,
которые основаны на периодичности, анизотропности структуры, влиянии
размера фаз и межфазных эффектах, например, анизотропия
электропроводности композита, состоящего из изолирующей или
полупроводниковой матрицы и однонаправленных металлических проволок.
Электропроводность в направлении осей проволок в десятки раз выше, чем в
поперечном направлении. В композите такого типа анизотропия возникает
из-за того, что напряжение Холла, или термоЭДС короткозамкнута в
направлении проводящих проволок и не замкнута в перпендикулярных к ним
направлениям. На основе полученного направленной кристаллизацией
эвтектического композита InSb-NiSb разработаны уникальные магнито-
резисторные устройства.