Предметный указатель 261
обратное включение
р–n-перехода..............................150
объёмные дефекты.......................... 99
объемный заряд..............................149
одномодовые кабели......................185
Оль Рассел ....................................... 83
операционные усилители ..............204
оптический резонатор
Фабри – Перо .............................180
оптоволокно....................................183
оптоэлектронные приборы............177
оптрон .............................................180
осаждение диэлектрических
пленок.........................................236
основы кристаллофизики ............... 92
очистка поверхности......................234
П
Папалекси Николай Дмитриевич... 36
Паульсен Вольдемар......................209
пентагрид......................................... 35
пентод .............................................. 35
Петров Василий Владимирович..... 14
пиксел .............................................. 47
плазмохимическая очистка ...........234
плоскостные дефекты ..................... 99
поверхностные загрязнения ..........234
подвижность электронов ...............134
полевые транзисторы.....................171
полупроводник ................................ 89
полупроводник примесный...........133
полупроводниковый лазер ............180
Попов Александр Степанович ....... 13
пористый кремний .......................... 11
Преснов Виктор Алексеевич.........159
приборы с 4-слойными
структурами ...............................176
примеси............................................ 96
программируемые ПЗУ .................173
продольная и поперечная
магнитная запись.......................214
пролетный режим...........................141
прямое включение р–n-перехода ..150
Пфан Б.............................................248
Р
радиолин........................................... 37
расплав ........................................... 109
раствор............................................ 109
режим насыщения ......................... 164
режим отсечки ............................... 164
рекалибровка механизмов
перемещения ............................. 217
рельеф поверхности ИС ................ 236
Ржанов Анатолий Васильевич...... 248
Ричардсон Оун Вильямс ................. 27
Рогачев Александр ........................249
РЭБ.................................................... 56
С
сверхрешетки................................... 86
световод.......................................... 183
светодиод .......................................178
светодиоды..................................... 160
СВЧ-печи.......................................... 42
Сибирский физико-технический
институт при ТГУ ..................... 251
силан............................................... 235
Сименс Вернер................................. 78
симисторы ...................................... 176
симметричный мультивибратор.....34
скрайбер ......................................... 242
Смит Уилоуби.................................. 78
собственные полупроводники...... 132
стабилизатор .................................. 190
статические характеристики
транзистора................................ 168
сток полевого транизистора ......... 171
Столетов Александр Григорьевич . 45
структурные дефекты...................... 95
схемы включения транзистора ..... 165
Т
твердые растворы ............................ 76
температурная рекалибровка........ 217
теории полупроводников ................ 80
тепловой ток .................................. 151