как
появляются участки, удобные для закрепления атомов, переходящих из
жидкости.
Атом
в положении 1 (рис. 22, а) закреплен слабо, он легко пере-
мещается по поверхности и может вновь оторваться.
Атом
же, поступив-
ший
в положение 2, имея три связи, закреплен надежно. Когда возникший
двумерный слой атомов покроет всю грань, для образования последующе-
го такого же слоя необходим новый двумерный зародыш критического
размера, образующийся по указанному выше механизму. Следовательно,
скорость роста кристаллов определяется вероятностью образования дву-
мерного зародыша. Чем больше степень переохлаждения, тем меньше ве-
личина
этого двумерного критического зародыша и тем
легче
он обра-
зуется.
Рост кристалла значительно облегчается тем, что грани его не предста-
вляют идеально ровных плоскостей. На гранях растущего кристалла всег-
да имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов,
на
которых легко удерживаются, новые атомы, поступающие из жидкости.
В этом
случае
рост кристалла может протекать
даже
без образования дву-
мерного зародыша.
В растущем кристалле
всегда
имеются дислокации. В месте
выхода
на
поверхность винтовой дислокации имеется ступенька, к которой легко при-
соединяются атомы, поступающие из жидкости (рис. 22,6). Винтовые дис-
локации
ведут
к образованию на поверхности кристалла спиралей роста
высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост
экспе-
риментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кад-
мия,
серебра и
других
металлов.
Число центров кристаллизации и скорость роста кристаллов. При прочих
равных условиях, скорость процесса кристаллизации и строение металла
после затвердения зависят от числа зародышей ч. з. (центров кристаллиза-
ции),
возникающих в единицу времени и в единице объема, т. е. от скоро-
сти и образования зародышей [1/(см
3
.с)] и скорости роста (с. р.) зародышей,
или
скорости увеличения линейных размеров растущего кристалла в еди-
ницу
времени (мм/с).
Чем больше скорость образования зародышей и чем больше скорость
их роста, тем быстрее протекает процесс кристаллизации. При равновес-
ной
температуре кристаллизации t
n
число зародышей и скорость роста
равны нулю, и поэтому кристаллизация не происходит (рис. 23, а). При уве-
личении
степени переохлаждения скорость.образования зародышей и ско-
рость их роста возрастают, при определенной степени переохлаждения до-
стигают максимума, после чего снижаются. С увеличением степени переох-
лаждения скорость образования зародышей, а следовательно, и их число
возрастают быстрее, чем скорость роста. Такой характер изменения
ч.
з. и с. р. в зависимости от степени переохлаждения объясняется сле-
дующим. С повышением степени переохлаждения разность свободных
энергий
жидкого и твердого металла А/ возрастает, что способствует
повышению скорости кристаллизации v, т. е. скорости образования за-
родышей и их роста (см. рис. 23). Однако для образования и роста
зародышей требуется диффузионное перемещение атомов в жидком
металле.
В связи с этим при больших степенях переохлаждения (низких темпера-
турах)
вследствие уменьшения скорости диффузии (коэффициента диффу-
33