160
Пусть ток диода описывается вольтамперной характеристикой диода
вида
))v(exp(Ii
DSD
140
⋅
=
. Предположим, что на
- той итерации
получена точка
)i,v(
kk
и алгоритм предсказал на линеаризованной
характеристике новую точку
*)i*,
. Согласно алгоритму, необходимо
определить
*)v(gi
k
=
+1
, что может, в случае экспоненциальной
характеристики, повлечь переполнение разрядной сетки ЭВМ. В качестве
альтернативного шага определения
)k(
i
1
, предлагается брать
горизонтальную проекцию на вольт - амперную характеристику точки
пересечения вертикальной проекции точки
*
. Тогда *ii
k
=
+1
, а инверсия
вольтамперной характеристики дает
)I/*iln(/v
S
k
+⋅=
1401
1
.
Горизонтальную проекцию на вольтамперную характеристику можно
использовать для всех напряжений на диоде превышающих
В.70 .
Напряжение
В.70 соответствует AE.).exp( 12446317040 +
, что вполне
представимо в современных ЭВМ.
Другое эвристическое правило рекомендует использовать
горизонтальную проекцию, при
0>
k
v*v
, а вертикальную, в противном
случае.
Трудности могут возникнуть и при отрицательных смещениях на
диоде, так как при итерациях вычисляются производные от вольтамперной
характеристики
)vexp(Ii
DS
'
D
⋅⋅⋅= 4040 , которые, при 0<v , могут
оказаться слишком малыми. Во избежание этой ситуации, при
отрицательных напряжениях на диоде, предлагается заменить
вольтамперную характеристику касательной, при
В)..(v
D
5030 −÷−
.
Аналогично, в качестве альтернативного подхода, при прямом
смещении на диоде, превышающем
В.70 , можно предложить заменять
вольт - амперную характеристику, на ее производную в точке
В.70 .
Подобные способы преодоления переполнения разрядной сетки ЭВМ, в
процессе итерационного поиска решения нелинейных систем уравнений,
можно рекомендовать и в схемах на биполярных транзисторах, так как