ренним и внешним поверхностям и от них. Дефекты, будучи очень
подвижными при высоких температурах, возникают и уничтожа-
ются на этих поверхностях, и, следовательно, их концентрация
поддерживается в кристалле за счет динамического равновесия. С
понижением температуры равновесная концентрация вакансий
уменьшается по экспоненциальному закону. При закалке этот про-
цесс не успевает пройти, и фиксируется избыточная концентрация
вакансий – металл пересыщается вакансиями.
В процессе закалки образец приводят в равновесное состояние
при высокой температуре (температуре закалки Т
з
) и затем быстро
охлаждают до низкой температуры Т
к
, настолько быстро, чтобы со-
хранилась концентрация дефектов, соответствующая высокой тем-
пературе. При выборе T
з
, Т
к
и скорости закалки V
з
следует учитывать
ряд обстоятельств. Величина Т
к
должна быть настолько малой, что-
бы предотвратить заметную убыль дефектов до завершения необ-
ходимых измерений; Т
з
должна быть настолько большой, чтобы рав-
новесная концентрация дефектов при Т
з
была достаточна для прове-
дения измерений при Т
к
; V
з
должна быть достаточной для предот-
вращения процессов диффузии за время охлаждения от Т
з
до Т
к
.
Большой избыток вакансий может возникнуть при обычной за-
калке в воду.
В период закалки в условиях пересыщения вакансиями они
склонны к образованию дивакансий. Так как энергия образования у
дивакансий больше, чем у вакансий ( = 2 – B), концентрация
F
v
E
2 F
v
E
дивакансий растет с температурой быстрее. Таким образом, хотя
при низких температурах значение концентраций дивакансий С
2v
много меньше, чем значение концентраций моновакансий С
1v
, оно
приближается к С
1v
по мере повышения температуры.
Расчет показывает, что если энергия связи дивакансий составля-
ет более 0,3 эВ, то в период закалки более 50% вакансий превра-
щаются в дивакансии. При закалке с высоких температур, когда
вакансии в первый период охлаждения еще очень подвижны, они
могут образовывать и более крупные стабильные скопления. В ча-
стности, могут образовываться диски вакансий диаметром около
10 нм, при захлопывании которых рождаются дислокации.
189