38
3.3. Полупроводниковый детектор
Чтобы повысить эффективность регистрации ионизационного детекто-
ра напрашивается применение в рабочем объеме не газа, а твердого вещества.
Однако в металлах ток идет и в отсутствии ионизирующих излучений. В ди-
электриках же возникшие в результате ионизации электроны не могут дви-
гаться. Выход был найден в использовании полупроводников.
Полупроводниковые кристаллы обычно изготавливают из четырехвалентных гер-
мания или кремния. И тот и другой при нормальных условиях ток не проводят. Но при до-
бавлении к ним определенных примесей (легировании) ситуация меняется. Добавка пяти-
валентного элемента, например, сурьмы, приводит к появлению в кристалле свободных
электронов. Такой материал называется полупроводником n типа (n – negative). Легирова-
ние трехвалентным элементом, например индием, приводит к возникновению в кристалле
вакансий для электронов, или дырок. Физически дырки ведут себя так, как если бы на их
месте находились положительные заряды, поэтому такие материалы называют полупро-
водником p типа (p – positive).
Многочисленные применения полупро-
водников связаны с особыми свойствами p-n пе-
рехода – области соприкосновения полупровод-
ников р и n типа (рис. 16 а). Если приложить к
нему напряжение минусом к p-области, а плюсом
к n (в обратном направлении), то возникает си-
туация, когда электроны и дырки «вытягивают-
ся» полем из области перехода (рис. 16 б). Обра-
зуется слой, обедненный носителями заряда; ино-
гда его называют запирающий слой. Толщина
этого слоя зависит от величины приложенного
напряжения и может составлять от долей милли-
метра до сантиметров. Можно сказать, что этот
слой обладает высоким электрическим сопротив-
лением, или, другими словами, ток через p-n пе-
реход, смещенный в обратном направлении,
практически не идет. Именно на этом свойстве
основана работа полупроводникового детектора.
Многочисленные применения полупро-
водников в электронике основаны на рассмотренном, а также другом свойстве: пропус-
кать электрический ток, если напряжение приложено к переходу в прямом направлении.
Таким образом, p-n переход ведет себя как вентиль: он пропускает ток в одном направле-
нии и не пропускает в другом. На этом свойстве основана работа диодов, одно из приме-
нений которых – выпрямление переменного тока. Переходы же типа p-n-p или n-p-n ис-
пользуются для создания транзисторов, способных усиливать электрические сигналы.
Прогресс электроники привел к тому, что на одном кристалле кремния (подложке), вы-
полняются сложные электронные устройства, содержащие миллионы транзисторов и дио-
дов – микросхемы.
Полупроводниковый детектор представляет собой p-n переход, сме-
щенный в обратном направлении. Регистрируемое излучение создает в нем
электроны и дырки, которые под действием электрического поля движутся в
противоположных направлениях, порождая электрический импульс.
слой
n
а)
б)
Рис.16. p-n переход