схема
процеооа
ро)1{дения
вакадси||
ва||ие)) атома
пуототь|
![з пуототь|)
(
(
апсась].
схоша
процеоса
поглоще|1ия ш
ро''{девия
ва|!авспй
соремещающейоя
ди'
слокац!!вй
торь1х
с
прим€ве!]ием
радиоактив11ых
и:}о,опов
ошределял-
ся
коэффици0пт
диффуали
о,
3пая 2, }|ожво получить
!;
в
развьтх
опъ!лах
оно о1(а3ь|валось существовно
ра3лич-
нь|м'
!тецовятнь|м
обрзом
завпсящип{
и
от
истории
обраа-
ца
ш от
фашлилии'экспери},ептатора,
! воех, однак0'
ата
воличива
оказьтвалась
3начительво мевь|по
диап*етра
об"
ра8ца'
что
свиде'гельствует
о валичии в
объеме
образцов
источни|{ов
и
стоков
вакапсий.
Б
последующие годы
акс.
{1еримептаторь1
шаучилиоь
соадавать о6разшы с
варавее
аайа,''ь'.,
ввачен!те}'
/
и
вадежво
убодилпоь
в
том' что
ц*.|',
во
это бьтло
в по€ледующие
годы'
а в
вачале
50-х
важво
было
шадеэтпво
убедиться
в том' что ! мень:пв
раа-
мера
образца.
?тп
л
мшогие
другие
а}(спершменты согласво овпде-
тольствуют
0
наличии
в криоталлах-
внутрепних
отоков
вакапспй,
(токов.
а о]]едовательво'
и
источши1{ов'
так
ка[{
!]роцесс
рожцевия
и
{{сче8новения
вакавсий
обратим:
ато1|'
присо0дппился
н ст0ку
_
родилась
вакансия'
ато}'
от
стока
оторвался
-
ва1{а|]сия
иочоала.
?еперь
о
]{оп1{ретшь!х
тп1]ах
источников
[
€1Ф[{9$
88:
кашсшй.
60
!|а
Бо-первьтх' свободная
поверхность
образца. 3десь
всо
ясно:
при1шла вакансия к поверхности
_
с т|оверх11ости
у|шел
один атом;
при1||ло
к
поверхности'
площадь
которой
5, число вакансий
п:5/о"
*
исче3
одноатомнь]й
слой.
}:шли
родив|шиеся
ваканси1|
_
все будет
происходить
ша-
оборот: появился
атом
_
лояв:;'лся
слой.
Бо_вторьтх,
лю6ая
распполож{енная-
в
объеме кристалла
свободная
поверхность'
ограничивающая
трещину
йли
пору,_ такой
:ке }1сточни]{
и сток'
как
свободцая шоверх-
ность'
ограничива|ощая
кристалл.
Б-третьих,
дислокации.
}1а
этом оста}]овимся подроб-
шее.
Ёеаавер1пенпая
полуплоскость' коночно }ке' не
огра_
ничена
геомотрической
прямой,
подобно
лозв11ю бритвьт.
!е
естественнее
уподобитъ
режсущей
кромке пиль| с
не-
упорядоченно
распредеденнь1м11
зубьями.
Ёа
это1|
11.]1,я3в_
ленной кромке не3авер1пенной
полуплоскости'
т. е.
вдоль
линии
краевой
дислокации'
всегда
найдется
место
для
атома' которБ:й по}келал бьт,
уйдя
из
регулярн_ой
шозиции
в
ре1шетке'
прист|]оиться к полушлоскости. <1/йдя
из
!е;
гулярной позицип
в
ре|шетки))
_
з1{ачит' оставив
в
нол!
вакансию'
(родив)
ее.
Фт кромки
незаверйенной полу-
плоскости может и
оторваться
атом' если
рядом
окан{ется
вакансия' которо;? понему-ли6о надо
истезпфь,
поглотив
атом.
(казапное
означает'
что
л:г1ну1я
краевой
дислокаци[1
п{о}кет
работать
как источник !1 сток
вакавоий.
|{рипаетти-
тельно
к
этому
типу источнт,|ков
у1
ст0ков
велтт.титта
.]
1тмеет смь1сл
расстоя|{ия
мен{ду
дислокациями'
а это
зна-
1|ит'
что плотность
диолокатций
р*!/12.
1!1ьт
прттходипт
к
ван{ноп1у
3а|{лючению: в
тех сл}п1аях'
когда
роль
|!сточ_
ников
и стоков
и1рают
дисдокации,
диффузио|{!]ая
вя3_
кость
кристалла
ц.-1/р:
чем
больтпе
дислолат1и|':,
тем
менее
вя3ок
криоталп'
тем ош
легче течет.
,{,ело
мо:щет
обстоятъ
не с0всом так'
когда
плот1{ость
дислокаций
очень
велика
и онп
нат|инают
друг другу
мо1пать
ро'1{дать
!1
поглоц1ать ваканоии;
пе
6удем
обсу:*сдать эту предель_
дую
ситуацию' а
удовольствуемся
важпым заключет|иом:
\"-7/р.
}1азовем
ещо источнп1*и, п стоки
(в_четверть1х)).
Б
ре_
альных кристаллах
имеется мпо}кество
поверхвоотей
рав_'
делов
меж{ду'
рааличными
элемента}'и структуры
-
грани_
цамш
вер0н
и отдельпь1ми блоками.
Фнц
тожсо
мотут
ро'к-
дать
п
поглощать
вакансии.' [1роцесо
этот 3начительпо
более
сложпьтй,
нем
про-исходя]ций
на
свободной
поверх_
11ости
или на одивочной
дислокациопной
линии.
/{ействуя
0|