характера активных центров поверхности будет разным соотношение скоростей дви-
жения фронта реакции по поверхности и на глубину кристалла. Микрорельеф гра-
ницы раздела "поверхностной пленки" и ее "заглублений" зависит от типа дефектов,
их размера и узора распределения в кристалле.
Очаговая локализация реакции на поверхности каждой грани. Этот вари-
ант описан еще в 1889 г. О. Леманном. Форма очагов локализации, их частота и узор
распределения на грани определяются расположением и формой активных центров.
Активными центрами могут быть границы разных структурных блоков кристаллов
(слоев, лент, каналов и т.п.), места скопления дефектов, зоны и секторы различаю-
щегося состава, участки блочности, расщепления и других внутренних напряжений в
кристаллах. Наблюдения в лабораторных условиях показывают, что последователь-
ность вступления в реакцию разных по своей природе активных центров подчиняется
определенным закономерностям, но они сложны и изучены мало.
Протекание реакций внутри кристаллов. Могут иметь место очаговая локали-
зация внутри кристалла и однородное вступление в реакцию всего объема кристалла.
В лабораторных экспериментах локализация реакций внутри кристалла обнаружива-
ется в виде непрозрачных точек, распределенных в нем равномерно или неравномерно.
Очаги наблюдаются также в виде линий и сеток линий, непрозрачных или цветовых
пластин, одиночных, параллельных, пересекающихся. Отмечается образование пятен
другого вещества, известны случаи роста внутри кристаллов газово-жидких включе-
ний. Наблюдалось образование ячеистых (как губка) зон внутри кристаллов.
В чистом виде все перечисленные формы
топохимических реакций проявляются ред-
ко,
да и сама классификация этих реакций
является условной. В реальных условиях
одновременно протекают разные виды ре-
акций, и соотношение между ними может
быть любым. Это нередко четко проявля-
ется в морфологических особенностях всту-
пивших в топохимическую реакцию зёрен
(рис.
233). Таким образом, реакционная
способность одного и того же кристалличе-
ского вещества меняется в зависимости от
характера его кристаллов — их размеров,
развитых на них простых кристаллографи-
ческих форм, дефектов и их распределения
по поверхности и в теле кристаллов, участ-
ков сброса внутренних напряжений в кри-
сталлах, наличия или отсутствия зон и пирамид различающегося химического состава
Рис. 233. Примеры разной морфологии
зерен как отражение разного характера
топохимических реакций на гранях —
термическое разложение HgO в вакууме
(Продан,
1994).
ФРАГМЕНТАРНОСТЬ СТРОЕНИЯ
КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ РЕШЕТОК
Кристаллические решетки многих минералов как бы собраны природой из одинако-
вых, но по-разному чередующихся фрагментов — цепочек, лент, пакетов, блоков и бо-
лее сложных модулей. Впервые это явление было описано во фторкарбонатах редкозе-
мельных элементов — паризите, бастнезите, синхизите. Супруги Г. Донней и Дж. Дон-
ней в 1950-х годах выявили, что кристаллические решетки этих минералов состоят из
по-разному чередующихся двух одинаковых блоков (рис. 234). Они назвали это явле-
ние синтаксией. Валовой состав одного блока отвечает формуле СаСОз, другого —
СеСОзР. Комбинируя их в разной пропорции, можно получить брутто-формулы па-
ризита, синхизита и других карбонатов этого типа. Позднее Дж. Томпсон показал,
295