Будник А.В., Галузо В.Е., Логин В.М. Теория систем безопасности. Методические указания к практическим занятиям

Подождите немного. Документ загружается.

а б

Рис. 3.4. Электрические незаземленный (а) и заземленный (б) экраны

При заземлении экрана заряд, индуцированный на внешней поверхности

экрана, нейтрализуется, и поле вне экрана становится равным нулю (рис. 3.4, б).

Эффективность экранирования электрического поля

св

р.з

20lg 20lg

U C

 



где U

р.з

 напряжения, наводимые в цепи рецептора наводки при отсутст-

вии и наличии заземленного экрана.

Эффективность экранирования определяется в основном отношением

емкостей связи между источником и рецептором наводки до и после установ-

ки заземленного экрана. Поэтому любые действия, приводящие к снижению

св

, увеличивают эффективность экранирования.

Экранирующее действие металлического экрана существенно зависит от

качества соединения экрана с корпусом прибора и частей экрана друг с другом.

Основные требования, которые предъявляются к электрическим экранам,

можно сформулировать следующим образом:

1) конструкция экрана должна выбираться такой, чтобы силовые линии

электрического поля замыкались на стенки экрана, не выходя за его пределы;

2) в области низких частот эффективность электростатического

экранирования практически определяется качеством электрического контакта

металлического экрана с корпусом устройства и мало зависит от материала эк-

рана и его толщины;

3) в области высоких частот эффективность экрана, работающего в элек-

тромагнитном режиме, определяется его толщиной, проводимостью и магнит-

ной проницаемостью.

Методические указания

На данном практическом занятии студенты выполняют следующие задания:

1. Изучают физические основы экранирования магнитного поля.

2. Изображают эскиз экрана, указывают распределение линий напряжен-

ности магнитного поля и размеры экраны, определяющие его эффективность.

3. По заданию преподавателя определяют эффективность экранирования

для незаземленного и заземленного материалов экрана, параметры которых

приведены в табл. 4.1.

4. По заданию преподавателя определяют эффективность экранирования

электрического поля для данных видов экрана.

5. Анализируют рассчитанные значения эффективности экранирования и

делают выводы о ее повышении.

Практическое занятие №4

ЭКРАНИРОВАНИЕ НИЗКОЧАСТОТНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ

Цель занятия: приобрести практические навыки в реализации теоретиче-

ских основ подавления паразитной индуктивной связи и экранирования посто-

янных и низкочастотных магнитных полей.

Теоретические сведения

Экранирование постоянного и медленно изменяющегося

магнитных полей

Этот вид экранирования часто называют магнитостатическим. Экраны из-

готовляют из ферромагнитных материалов (пермаллоя или стали) с большой

относительной магнитной проницаемостью µ

. Линии магнитной индукции

проходят в основном по стенкам такого экрана, которые обладают малым маг-

нитным сопротивлением по сравнению с воздушным пространством внутри эк-

рана. Качество экранирования магнитных полей зависит от магнитной прони-

цаемости экрана и сопротивления магнитопровода, которое будет тем меньше,

чем толще экран и чем меньше в нем стыков и швов, идущих поперек направ-

ления линий магнитной индукции.

На рис. 4.1 поясняется сущность процесса экранирования магнитостати-

ческого поля магнитным экраном (см. рис. 4.1, а), а также приведены эквива-

лентные схемы для расчета эффективности экранирования: при отсутствии эк-

рана (см. рис. 4.1, б) и с применением экрана (см. рис. 4.1, в). На рисунке вве-

дены следующие обозначения:

и R

 магнитное сопротивление области пространства, имеющей пло-

щадь поперечного сечения S

, при отсутствии и наличии экрана соответственно;

 магнитное сопротивление экранируемой области пространства, име-

ющей площадь поперечного сечения S

Эффективность экранирования для экрана, изображенного на рис. 4.1, оп-

ределяется выражением

1 2

20lg ,

S S

 

 



 

 

где µ



относительная магнитная проницаемость материала экрана;

S = S

+ S

Если экран выполнен из немагнитного материала с относительной маг-

нитной проницаемостью µ = 1 (медь, латунь, алюминий), то он не оказывает

на магнитное поле источника наводки никакого влияния, и эффективность эк-

ранирования будет равна нулю.

Если же экран изготовлен из ферромагнитного материала (пермаллой,

сталь) с большим значением относительной магнитной проницаемости µ, то

магнитный поток замыкается в основном на стенки экрана, имеющего мень-

шее магнитное сопротивление по сравнению с магнитным сопротивлением

воздушного пространства, занятого экраном.

б в

Рис. 4.1. Распространение магнитного поля (а)

и эквивалентные схемы экрана (б, в)

Если S

<< S

1 2 1

2 2

20lg 20lg 1

S S S

S S

   

  

  

   

   

. (4.1)

Магнитостатическое экранирование используется при необходимости по-

давить наводки на низких частотах от 0 до 3…10 кГц.

Основные требования, предъявляемые к магнитостатическим экранам, мож-

но сформулировать следующим образом:

1. Магнитная проницаемость μ

материала экрана должна высокой.

2. Увеличение толщины стенок экрана приводит к повышению эффектив-

ности экранирования.

3. Заземление экрана не влияет на эффективность магнитостатического

экранирования.

4. Экран такой конструкции используется редко, только при необходимости

подавить наводку на частотах 0…1 кГц. В этом диапазоне эффективность экрана

от частоты не зависит. Ее можно приближенно определить по уравнению

экр

Э 1 / ,

   

(4.2)

где δ

экр

 толщина стенок экрана;

D  диаметр эквивалентного сферического экрана, близкий к длине стенки

кубического экрана.

Таблица 4.1

Электрофизические параметры некоторых металлов

Параметры Медь Латунь Алюминий

Сталь Пермаллой

Удельное со-

противление ρ,

Ом·мм

/м

0,0175 0,06 0,03 0,1 0,65

Удельная про-

водимость σ,

см·см

57·10

16,6·10

33·10

10·10

1,54·10

Относительная

магнитная

прони-

цаемость, µ

1 1 1 50 100 12 000

На указанных частотах экран получается громоздким и дорогим. Полу-

чить сколько-нибудь удовлетворительную эффективность удается только при

применении специальных материалов с высоким значением µ

Пример 4.1. Определим эффективность подавления наводки на частотах

0...1 кГц экраном кубической формы с длиной ребра D = 100 мм; материал 

сталь толщиной δ

экр

= 0,8 мм, µ

= 100. После подстановки в (4.2) получим:

Э = 1 + 1000,8/100 = 1,8 или В = ln1,8 = 0,59 Нп; А = 20 lg1,8 = 5,1 дБ.

Увеличением толщины стального экрана нельзя добиться значительного

повышения его эффективности. Так, при δ

экр

= 2 мм (что технологически крайне

неудобно) Э = 3; В = 1,1 Нп и А = 9,6 дБ, т. е. значение Э возрастает всего на

4,5 дБ. Если же взять пермаллой (µ

= 5000) той же толщины (0,8 мм), то Э = 41,

В = 3,7 Нп; А = 32 дБ.

Методические указания

На данном практическом занятии студенты выполняют следующие задания:

1. Изучают физические основы экранирования низкочастотного магнит-

ного поля.

2. Изображают эскиз экрана, указывают распределение линий напряжен-

ности магнитного поля и размеры экраны, определяющие его эффективность.

3. По заданию преподавателя определяют эффективность экранирования

для магнитного и немагнитного материалов экрана, параметры которых приве-

дены в табл. 4.1.

4. По заданию преподавателя определяют эффективность экранирования

для различных значений толщины стенок и диаметра экрана.

5. Анализируют рассчитанные значения эффективности экранирования и

делают выводы о ее повышении.

Практическое занятие №5

ЭКРАНИРОВАНИЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ

Цель занятия: приобрести практические навыки в реализации теоретиче-

ских основ подавления паразитной индуктивной связи и экранирования высо-

кочастотного магнитного поля.

Теоретические сведения

Экранирование высокочастотного магнитного поля

В конструкции электромагнитных экранов применяют немагнитные и фер-

ромагнитные металлы. Вихревые токи, наведенные полем ИН в теле экрана,

вытесняют внешнее поле из пространства, занятого экраном (рис. 5.1).

а б в

Рис. 5.1. Схема действия высокочастотного экрана: поле ИН (а),

поле цилиндра (б), суммарное поле (в)

Экранирование методом вытеснения (компенсации) магнитного поля по-

лем вихревых токов в экране основано на использовании явления электромаг-

нитной индукции. Переменное магнитное поле, пронизывая экран, индуцирует в

нем ЭДС, которая в свою очередь вызывает вихревые токи в экране. Эти токи

создают вторичное магнитное поле, направленное в защищаемой экраном об-

ласти навстречу воздействующему на экран полю.

Результирующее магнитное поле внутри экрана оказывается ослабленным,

а за пределами экрана усиленным. Таким образом, происходит вытеснение поля

из защищаемой области во внешнюю область пространства, а следовательно, и

экранирование рабочего объема экрана от внешнего магнитного поля.

С увеличением частоты магнитного поля распределение вихревых токов

по сечению материала экрана становится все более неравномерным, т. е. прояв-

ляется поверхностный эффект, при котором происходит сосредоточение вих-

ревых токов в поверхностных слоях экрана и ослабление переменного магнит-

ного поля при проникновении его в глубину материала экрана. Чем выше час-

тота магнитного поля, тем меньше глубина проникновения. Следовательно, эк-

ранирование магнитного поля обусловлено, во-первых, компенсацией этого

поля магнитным полем вихревых токов, и, во-вторых, ослаблением магнитно-

го поля при проникновении в глубину материала стенок экрана. До тех пор пока

толщина стенок экрана меньше глубины проникновения (для низких частот),

основную роль играет компенсация поля. С повышением частоты, когда тол-

щина стенок экрана становится больше глубины проникновения, решающим

может оказаться ослабление поля при проникновении его в толщу стенок экра-

на. Так как с ростом частоты магнитного поля глубина проникновения уменьша-

ется, то уменьшается и магнитопроводимость экрана, которая зависит от габа-

ритных размеров и магнитной проницаемости материала экрана. В этих усло-

виях из-за существенного уменьшения эквивалентной толщины стенок экрана

явление шунтирования магнитного поля не проявляется. Поэтому для обеспече-

ния экранирования на высоких частотах в качестве материала экранов часто

применяют немагнитные материалы.

Определим эффективность экранирования немагнитного экрана для диапа-

зона частот, в котором поверхностный эффект можно не учитывать, считая, что

толщина экрана много меньше глубины проникновения, т. е. d << δ.

С увеличением частоты магнитного поля источника наводки d > δ необхо-

димо учитывать поверхностный эффект. В этом случае экран можно представить

в виде ряда последовательно включенных экранов, каждый из которых образует

короткозамкнутый виток, связанный с остаточным магнитным потоком сосед-

него витка. В результате величина остаточного взаимосвязанного магнитного

потока в экране уменьшается от слоя к слою, что позволяет рассматривать от-

дельные слои экрана как Г-образные звенья фильтров. Таким образом, эффек-

тивность экранирования высокочастотного магнитного поля определяется поте-

рями за счет поглощения и отражения или компенсации полем вихревых токов

в экране.

Из-за поверхностного эффекта плотность тока и напряженность магнит-

ного пола падает по экспоненциальному закону по мере углубления в металл:

Плотность тока на глубине

Плотность тока на поверхности







где 2/

  

 показатель уменьшения, доля в тока, называемый эквива-

лентной глубиной проникновения (табл. 5.1).

На глубине х = δ плотность тока и напряженность магнитного поля падает

в е раз, т. е. до величины 1/2,72 = 0,37 от плотности и напряженности на по-

верхности.

Экранирующее действие вихревых токов определяется двумя факторами:

обратным полем, создаваемым токами, протекающими в экране, и поверхност-

ным эффектом в материале экрана. На высоких частотах при относительно

большой толщине материала экрана δ

экр

> δ действуют оба фактора, и эффек-

тивность экрана можно определить по приближенному уравнению

экр

2 2,8

 

 

 

 



 

. (5.1)

Таблица 5.1

ЭГП (δ) для различных экранирующих материалов, мм

Частота

ν, Гц

Медь Латунь Алюминий

Сталь

Пермаллой

= 50 µ

= 100

6,7000 12,4000 8,8000 — 1,540 0,380

2,1000 3,9000 2,7500 — 0,490 0,120

0,6700 1,2400 0,8800 — 0,154 0,038

0,2100 0,3900 0,2750 — 0,049 0,012

0,0670 0,1240 0,0880 0,0230 — —

0,2100 0,0390 0,0275 0,0070 — —

0,0067 0,0124 0,0088 0,0023 — —

На низких частотах, когда δ

экр

< δ, поверхностный эффект незначителен,

действует почти только первый фактор, и эффективность рассчитывают по

уравнению

0 экр

Э 1

  

 

 

 

 

. (5.2)

В уравнениях (5.1) и (5.2) приняты следующие обозначения:

экр

 толщина стенок экрана, см;

D  ширина прямоугольного экрана или диаметр цилиндрического и сфе-

рического, см;

m  коэффициент формы экрана, для прямоугольного m = 1, для цилинд-

рического m = 2 и для сферического m = 3;

µ = µ

 магнитная проницаемость;

= 1,256·10

–8

Г·см

–1

 магнитная постоянная;

 относительная магнитная проницаемость;

ω =2πν  угловая частота;

ν  частота, Гц;

σ  проводимость, См·см

Введение в формулы (5.1) и (5.2) множителя т позволяет использовать их

также для расчета эффективности плоских и сферических экранов. Для этого

при расчете эффективности плоского экрана следует заменить радиус экрана по-

ловиной расстояния между стенками экрана а/2 и положить т = 1, для цилинд-

рического экрана принять т = 2. При изготовлении экрана из немагнитного ме-

талла (μ = 1) экранирующий эффект на высоких частотах определяется проводи-

мостью материала и частотой магнитного поля источника наводки. Если экран

выполнен из магнитного материала, то при прочих равных условиях магнитным

полем источника наводки в нем наводится большая ЭДС из-за большей концен-

трации магнитного потока. Это приводит к увеличению вихревых токов в экране

при одинаковых проводимостях материалов, к большим потерям на поглощение

и, следовательно, к лучшему экранированию.

Пример 5.1. Определить эффективность медного цилиндрического экра-

на (δ

экр

= 0,8 мм, D = 80 мм) на частоте 0,1 МГц.

По табл. 5.1 находим ЭГП δ = 0,21 мм; так как δ

экр

/δ = 0,8/0,21 = 3,8, то

можно пользоваться формулой для случая δ

экр

> δ. После подстановки получим

3,8

Э 0,5 44,7 68,5 3063

2,8 2 0, 21

 

    

 

 

 

В = 8 Нп, А = 69,7 дБ.

Пример 5.2. Определить, как изменится значение Э, если экран из пре-

дыдущего примера выполнить из стали с µ

= 100.

По табл. 5.1 находим δ = 0,049 мм. Отношение δ

экр

/δ = 0,8/0,049 = 16,3.

Подставляя в (5.1), получаем

16,3 7 7

Э 0,5 1,2 10 3,4 4,1 10

2,8 2 100 0,049

 

      

 

  

 

В = 17,5 Нп, А = 152 дБ.

Пример 5.3. Определить экранирующее действие вихревых токов на часто-

тах 0,1 и 1 кГц, возникающих в цилиндрическом медном экране: δ

экр

= 0,8 мм,

D = 80 мм.

По табл. 5.1 имеем δ

0,1

= 6,7 мм; δ

= 2,1 мм. Для обеих частот δ

экр

< δ, по-

сле подстановки получим для частоты 0,1 кГц:

4 8

2 100 57 10 1, 256 10 8 0,08

Э 1 1,008,

2 2



 

      

  

 



 

В = 0,21 Нп, А = 1,8 дБ.

Для частоты 1 кГц

4 8

2 100 57 10 1,256 10 8 0,08

Э 1 7,27,

2 2



 

      

  

 



 

В = 2,0 Нп, А = 17,4 дБ.

Пример 5.4. Найти, как изменится значение Э при замене медного экрана

в предыдущем примере стальным с µ

= 100.

По табл. 5.1 имеем δ

0,1

= 1,55 мм; δ

= 0,49 мм. Для обеих частот δ

< δ

экр

на частоте 0,1 кГц

4 8

2 100 10 10 1,256 10 8 0,08

Э 1 1,008.

2 2



 

      

  

 



 