обратном напряжении. Он представляет собой полный электрический заряд, переносимый во внешнюю цепь
обратным током диода после его переключения с прямого тока на импульсное обратное напряжение.
Рис. 43 Общий вид и габаритные размеры импульсных диодов (а — г)
Под воздействием прямого входного напряжения U
BX
пр (рис 42, а, б) через диод проходит прямой ток I
Пр
(рис. 42, в), который определяется как прямым напряжением U
Пр
, так и сопротивлениями прямосмещенного
перехода г
п
р и нагрузки R
H
(см. рис. 42, а). В момент времени to (см. рис. 42, б) меняется полярность
приложенного напряжения на обратное U
0бр и
, вследствие чего изменяется на обратное и направление тока (рис.
42, в). Однако накопившиеся в базе неосновные носители некоторое время удерживают переход под прямым
смещением, в результате чего сопротивление перехода остается небольшим и через диод проходит
относительно большой обратный ток I
Обр
и, превышающий обратный ток установившегося режима Iо (Iобр и >
Iо). Сила этого тока определяется значением обратного напряжения U
0
бр и и сопротивлением нагрузки R
H
. В
интервале времени рассасывания t
p
происходит экстракция дырок из базы в змиттерную область р и
одновременно их частичная рекомбинация. К концу этого процесса концентрация дырок р
п
в базе снижается до
равновесной р
п
о (имеющей место при потенциале перехода U=0, рис. 42, г), переход получает обратное
смещение, его сопротивление становится большим (r
диф
=r
обр
), вследствие чего ток через переход снижается (см.
рис. 42, в). Время t
c
, В тече» ние которого происходит спад импульса тока до исходного значения Iо,
соответствующего равновесному режиму, называют временем восстановления (t
В0
с = tс). Диффузионные диоды
с плавными переходами и тонкой базой обладают меньшим временем восстановления, чем точечные и
сплавные с резкими р-д-переходами
Емкость импульсных диодов колеблется от 0,5 до 15 пФ. Потери, а также частотные и импульсные свойства
диодов характеризует выходное напряжение U
В
ых, снимаемое с нагрузки R
H
(см рис. 42, о) Для диодов,
работающих на прямой ветви ВАХ, т. е на включение, важен температурный коэффициент напряжения ТКН,
характеризующий стабильность U
пр
в рабочем диапазоне температур.
Кремниевые импульсные диоды КД504А применяют в радиотехнических и измерительных устройствах,
схемах детектирования, элементах ЭВМ и выпускают в металлостеклянном светонепроницаемом корпусе (рис.
43, а) с гибкими выводами, массой до 0,7 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +100°С.
Электрические параметры диодов приведены ниже.
Постоянное прямое напряжение, В, при I
В
р=100 мА и температуре, °С:
25.................. 1,2
— 40 .................. 1,4
Постоянный обратный ток, мкА, при U
06p
=40 В и температуре, °С:
25 ................. 2
100................ 100
Заряд переключения, Кл, при I
Пр
=300 мА и
Uоб
Р
= 30 В.............. 1,5-10~
8
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение, В, при температуре от — 60 до
+ 100° С................ 40
Максимально допустимый прямой ток, мА, при температуре, °С:
от — 60 до +35........... 240
100................ 80
Максимально допустимый импульсный прямой ток, А, при Тимп<10 мкс и температуре, °С:
25............... . 1
100................ 0,3
Емкость, пФ, при температуре 25 °С 4
Кремниевые импульсные диоды КД509А, КД510А применяют для импульсных радиоэлектронных устройств
и выпускают в стеклянном светонепроницаемом корпусе (рис. 43, б) с гибкими выводами, с диапазоном
рабочих температур от — 55 до +85 °С. Срок службы 15000 ч. Электрические параметры диодов приведены
ниже.
КД509А КД510А
Постоянное прямое напряжение, В, при I
Пр
= 100 мА и температуре, °С:
25............ 1,1
— 55........... 1,5