Бодиловский В.Г. Справочник молодого радиста

Подождите немного. Документ загружается.

диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°C. Электрические параметры транзисторов приведены а табл.

117.

Рис. 61, Цоколевка и габаритные размеры транзисторов:

а-КТ347 (KТ349, КТ350, КТ351), б-КТ373

Таблица 117

Типы транзисторов Параметры

КТ347А

КТ347Б

Т347В

Предельно допустимое напряжение

, В, при R

<10 кОм

15 9 6

Предельно допустимое напряжение

Uкб, В

15 9 6

Время рассасывания, не, при I

б1

I62= 1 мА, I

= 10 мА

25 25 40

Модуль коэффициента передачи тока на f=100 МГц при Uк=5 В, I

=10 мА ........... 5

Обратный ток, мкА: коллектора при предельно допустимом U

Кб

. 1

эмиттера при U

е=4 В « ......... 10

Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм и предельно допустимом U

......... 5

Напряжение коллектор — эмиттер в режиме насыщения, В, при I

=10 мА и Iб=1 мА...... 0,3

Емкость эмиттера, пФ, на частоте 10 МГц при Uэб=0.................. 8

Напряжение U

о, В............ 4

Постоянный ток коллектора, мА ....... 50

Импульсный ток коллектора, мА ....... ll0

Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при T

<55°С.......;......... 150

Тепловое сопротивление, °С/мВт ....... 0,5

Транзисторы р-n-р КТ349 (А, Б, В) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см. рис. 61,

а), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С, Электрические параметры транзисторов

приведены ниже.

КТ349А КТ349Б КТ349В

Статический коэффициент

передачи тока при U

=1 В

и I

=10 мА ..... 20 — 80 40 — 160

120 —

300

Модуль коэффициента пе-

редачи тока при f

=100

МГц; и Iэ=10 мА ......

Предельная частота пере-

дачи тока, МГц .... .

300

Обратный ток, мкА:

коллектора при U

10 В

......

эмиттера при U

б=4 В

Начальный ток коллекто-

ра, мкА, при U

кэ

=4 В.

<20 кОм

1 1,5

Напряжение, В, в режи-

ме насыщения при I

= 10

мА и Iб=1 мА:

ка

........

0,3

ба

. . . ..... 1,2

Емкость перехода, пФ:

коллекторного при

б=5 В и f=10 МГц . . .

эмиттерного при U

с=0

и f=10 МГц ....

Импульсный ток

коллек

тора, мА, ПРИ

Тиып<1 МКС

Напряжение U

б, В ... 20

Напряжение U

б, В ... 4

Напряжение U

кэ

, В, при

Rб<10 кОм . .....

Мощность*, мВт,

рассеива

емая коллектором,

при T

= — 40+30

С . . . . .

200

* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт, Р

К.МаКС

= ( 150-7

)/0,6.

Транзисторы р-n-р КТ350А выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см. рис. 61, а),

массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры транзисторов

приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при Uк=1 В и I

=500 мА : . ........20 — 200

Модуль коэффициента передачи тока при f= 20 МГц, U

=5 В и I

=10 мА ....... 5

Емкость, пФ:

коллектора при U

иб

=5 В и f=5-10 МГц . 70 эмиттера при U

б=1 В и f=5-10 МГц ... 100

Напряжение в режиме насыщения, В, при Iк=500 мА и Iб=50 мА:

................0,5

Uбэ ................1,25

Обратный ток, мкА:

коллектора при U

KБ

=10 В....... 1

эмиттера при Uэб=4 В........ 10

Импульсный ток коллектора, мА, при Тимп<1 мс . :..............боо

Напряжение U

Kэ

, В, при Rб<10 кОм .... 15

Напряжение U

o, В...... . . . 20

Напряжение Uб, В........... 4

Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором,

при температуре от — 40 до +30°С .... 200 .

* При температуре среды более 30 °С мощность, мВт, Р

К.МАКC

= -J150-7-

)/0.6.

Транзисторы р-n-р К351 (А, Б) выпускаются а металлическом корпусе с .ибкими выводами (см. рис. 61, а),

массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до + 85°С. Электрические параметры транзисторов

приведены ниже.

КТ351А КТ351Б

Статический коэффициент передачи

тока при U

=l В и Iэ=300 мА . . 20 — 80 50 — 200

Модуль коэффициента передачи

тока при f= 100 МГц, U

=5 В и I

=10

мА .......... 2

Емкость, пФ, при f=5-

10 МГц:

коллектора при U

б=5 В ...

эмиттера при (7

б=1 В ....

Напряжение, В, в режиме насы-

щения при I

=400 мА и I

б=50 мА:

. . . . ; ..... ; . 0,6

Uбэ ....... .... 1,1

Обратный ток, мкА: коллектора при

б=10 В . .

эмиттера при U

о=4 В ....

Импульсный ток коллектора, мА, 400

при Тимп = 4 МКС . . ......

Напряжение U

В, при Rб< .10

кО,м Напряжение Uкб, В ..... .

15 20

Напряжение U

б, В ..... , Мощность

*, мВт, рассеиваемая коллектором,

при температуре от -

40 до +30 °С

........

4 200

* При температуре среды более 30 °С мощнвсть, мВт, Р

MaftG

= ( 150-Tc)/0,6.

Транзисторы p-n-р КТ373 (А — Г) выпускаются в пластмассовом корпусе (рис. 61, б) массой 0,1 г, с

диапазоном рабочих температур от — 40 до 4- 85 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в

табл. 118.

Таблица 118

Типы транзисторов Параметры

КТ373А КТ373Б

KT373B

КТ373Г

Статический коэффи-

циент передачи тока

при Uк=5 В в I

= 1 мА

100 — 250

200 —

600

500 —

1000

50 —

125

Модуль коэффициента

передачи тока при

=5мА и f=100МГц

3 3 3 3

Емкость коллектора,

ПФ, При Uкб=б В

8 8 8 8

Напряжение Uкб, В 30 25 10 60

Напряжение переворота

фазы тока базы при

£«5мА

25 20 10 25

Напряжение Uac, В ....... 5

Обратный ток, мкА:

коллектора при U

a=25 В ... 0,05 эмиттера при Uэб = 5 В . . . . . 30

Ток коллектора, мА: постоянный . . . . . . . . . 60

импульсный ......... 200

Предельная частота передачи тока базы, МГц . . . . . . .... .300

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт . . . . . . . . . . . . 150

Сверхвысокочастотные. Транзисторы р-n-р ГТ328 (А, Б, В} применяются для работы в каскадах АРУ

радиоприемных и телевизи-онных устройств метрового диапазона волн и выпускаются в металлическом

корпусе с гибкими выводами (рис. 62, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до -f55°C.

Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 119.

Рис. 62. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов: а-ГТ328 (ГТ346), б-ГТ329

Таблица 119

Типы транзисторов Параметры

ГТ328А ГТ328Б ГТ328В

Статический коэффициент передачи тока 20 — 200 40 — 200 10 — 50

Предельная частота передачи тока, МГц 400 300 300

Постоянная времени цепи обратной

связи, ПС, При Uкб = 10 В и Iэ= 2 мА

5 10 10

Обратный ток коллектора, мкА, при U

Кб

=15 В . 10 Предельно допустимый ток коллектора, мА . . « 10

Пробивное напряжение, В:

Uкб.................. 15

Uэб при разомкнутой цепи коллектора .... 0,2

Емкость коллектора, пФ, при U

б=5 В .... 1,5 Мощность, мВт, рассеиваемая коллектором, при

температуре 55 °С............. 45

Транзисторы n-р-n ГТ329 (А — Г) выпускаются в металлическом герметичном корпусе с полосковыми

выводами (рис. 62,6), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от - — 50 до +60 °С. Электрические

параметры транзисторов приведены в табл. 120.

Таблица 120

Параметры Типы транзисторов

ГТ329А ГТ329Б ГТ329В ГТ329Г

Статический - коэффи-

циент пе

редачи тока базы

при и

— 5 В и I

=5 мА

15 — 300 15 — 300 15 — 300 15 — 300

Модуль коэффициента

передачи тока при U

В,

=5 мА, f=300 МГц

4,6 5,6 3,3 2,3

;

Емкость, пФ. коллектора

при U

кб

=5 В и f=30 МГц

2 3 3 2

эмиттера при U

б= 0,5 В

f=30 МГц

3,5 3,5 3,5 3,5

Обратный ток, мА:

коллектора при U

кб

=10 В

5 5 5 5

эмиттера при U

б=0,5 В 100 100 100 100

Постоянная времени це-

пи обратной связи, пс, при

Uк=5 В, I

=5 мА и I=30

МГц

15 20 20 15

Напряжение Uas, В, при

температуре сре

ды 60 °С и

овр =100 мкА

0,5 0,5 1 0,5

Напряжение U

KБ

, В

Напряжение U

кэ

, В, при

<1 кОм

10 5 10 5 10 5 10

Коэффициент шума, дБ,

при Uк=5 В, I

=3 мА и

f=400 МГц

4 6 6 5

Мощность *, рассеивае-

мая коллектором, мВт

50 50 50 50

*При температуре среды 40 — 60 °С мощность, мВт, Pк.макс=(80 — Tс)/0,8.

Транзисторы р-n-р ГТ346 (А, Б) применяются для работы в селекторах телевизионных каналов

дециметрового диапазона с АРУ и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см. рис. 62, а),

массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +55°С. Электрические параметры транзисторов

приведены в табл. 121.

Таблица 121

Параметры Типы транзисторов

ГТ346А ГТ346Б

Статический коэффициент передачи тока базы 10 10

при U

=10 В и I

=2 мА

Модуль коэффициента передачи тока при f

= 100

МГц и Iэ=2мА

7 5,5

Емкость коллектора, пФ, при U

б=5 В и f= 1,3 1,3

= 10 МГц

Обратный ток, мкА:

коллектора при Uк6=15 В 10 10

эмиттера при U

а=0,3 В 100 100

Постоянная времени цепи обратн

ой связи, пс,

при U

=10 В и I

=2 мА

3 5,5

Напряжение U

кэ

, В, при Rб=5 кОм 15 15

Напряжение Uкб, В 15 15

Напряжение, U

эб

, В 0,3 0,3

Коэффициент шума при I

=2 мА и f=800 МГц 8 —

Граничная частота передачи тока, МГц 700 550

Ток коллектора, мА 10 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт 40 40

Транзисторы n-р-n КТ325 (А, Б, В) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 63, а)

массой 2,2 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические параметры транзисторов

приведены ниже.

Рис. 63. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — КТ325, б — КТ326, в — KT337 (КТ363), г — ГТ339, в — КТ345

КТ325А КТ325Б КТ325В

Статический коэффи

циент

передачи тока при U

к=5 В и

=10 мА . 30 — 90 70 — 210 160 — 400

Модуль коэффициента .

передачи тока при U

к=5 В,

Iэ=10 мА и f=100 МГц .....

8 6 8

Емкость, пФ, при f

= 10

МГц: коллектора при

Uкв=5В ......

2,5

эмиттера при U

0 В

......

2,5

Обратный ток, мкА:

коллектора при U

кб

= 15 В

.....

0,5

эмиттера при U

эб= 4В

......

Ток коллектора, мА . 60

Постоянная времени

цепи обратной . связи, пс,

при Uк=5 В, I

э== 10 мА и

f=100 МГц

125

Напряжение U

кэ

, В, при

Rб<3 кОм . , .

Напряжение U

, В

при

котором наступает

переворот фазы базово

го

тока, при I

=1 мА .

Пробивное напряже

ние

В: Uкб при отключенном

эмиттере .....

Uэб при отключен

ном

коллекторе . .

Мощность, мВт, рас-

сеиваемая коллектором, при

температуре, °С: 60 . . .....

225

125 ....... 75

Транзисторы р-n-р КТ326 (А, Б) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис 63,6),

массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до -Н25°С. Электрические параметры, транзисторов

приведены ниже.

Статический коэффициент передачи тока при U

=2 6, I

=10 мА:

для КТ326А............20-70

для КТ326Б.............45-160

Емкость, пФ:

коллектора при U

б=5 В и f=10 МГц ... 5 эмиттера при U

б=Р В и f=10 МГц ... 4

Обратный ток, мкА:

коллектора при U

б=20 В.......0,5

эмиттера при U

б=4 В....... 0,1

Постоянная времени цепи обратной связи, пс, при Uк=5 В, Iэ=10 мА и f=5 МГц ...... 450

Напряжение, В:

Uкб при отключенном эмиттере ..... 20 U

при отключенном коллекторе..... 4

Напряжение, В, в режиме насыщения при I

=10 мА и Iб=1 мА:

Uка................0,3

Uэб................ . 1,2

Граничная частота передачи тока, МГц, при

=5 В и Iв = 10 мА...........400

Ток коллектора, мА.........., 50

Мощность *, мВт, рассеиваемая коллектором, при тем.пературе 30 °С..........200

* При температуре среды выше 30 °С мощность, мВт. Рк макс = (150-T

)/0,6.

Транзисторы р-n-р КТ337 (А, Б, В) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 63,

в),

массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до 4-85°С. Электрические параметры транзисторов

приведены в табл. 122.

Таблица 122

Типы транзисторов

Параметры

КТ337А КТ337Б КТ337В

Статический коэффициент передачи 30 — 70 50 — 75 70 — 120

тока при U

=0,3 В и I

=10 мА —

Модуль коэффициента передачи тока

5 6 6

при f=100 МГц, U

=5 В и I

= 10 мА

Емкость, пФ, при частоте 10 МГц:

коллектора при U„6=5 В 6 6 6

эмиттера при Uэб=0 В 8 8 8

Обратный ток, мкА:

коллектора при U

б=6 В 1 1 1

эмиттера при U

о=4 В 5 5 5

Время рассасывания, не, при I

= 25 28 28

б2

=1 мА, I

=10 мА

Напряжение, В, в режиме насыщения при I

= 10 мА и Iб=1 мА:

................ 0,2

.................. .1

Напряжение U

б, В ......... . 6

Напряжение Uэб, В ............ 4

Напряжение Uкэ, В, при Rо<10 кОм ..... 6

Начальный ток коллектора, мкА, при Rб<10 кОм в Uкб=6 В................ 5

Ток коллектора, мА............ 30

Мощность*, рассеиваемая коллектором, мВт . . 150

Температура перехода, °С ......... 150

* При температуре среды более 30°С мощность, мВт, Р

.макс

(150-T

)/0,6. ,

Транзисторы n-р-n КТ339 (А — Д) применяются для работы в выходных каскадах промежуточной частоты

телевизионных приемников 1-го и 2-го классов и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами

(рис. 63,г), массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С. Электрические параметры

транзисторов приведены в табл. 123.

Таблица 123

Параметры Типы транзисторов

КТ339А КТ339В КТ339В КТ339Г КТ339Д

Статический ко-

эффициент пе

редачи тока

при I

=7 В и U

= 10 В

Емкость коллектора, пФ 2 2 2 2 2

Обратный ток кол

лектора,

мкА, при U

кб=40 В (для

КТ339Б оно равно 25 В)

1 1 1 1

Постоянная вре

мени цепи

об

ратной связи, пс, при

f=5 МГц

25 25 50 100 150

Напряжение U«э, В

Напряжение. Uкб, В

Напряжение U

Предельная частота

передачи тока, МГц

300

200

450

250

Ток коллектора, мА, при температуре до 70 °С ...... . ....... 2

Мощность*, рассеиваемая коллектором, мВт ............... . 250

Температура перехода, °С .....* 120

* При повышении температуры от Б5 до 70 °С мощность снижается линейно до 100 мВт.

Транзисторы n-р-n КТ342 (А — Г) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см рис. 63,

в), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125°С. Электрические параметры транзисторов

приведены в табл. 124.

Таблица 124

Типы транзисторов Параметры

КТ342А КТ342Б KT342B КТ342Г

Статический коэффици- 100 — 250 200 — 500 400 — 1000 50 — 125

ент передачи тока при I

мА и Uк=10 В Емкость

коллектора, 8 8 8 8

пФ, при U

=5 В

Обратный ток, мкА, кол-

лектора при напряже

нии

коллектор — база, В:

25 (КТ342А), 20 (КТ342Б), 0,5 0,5 0,5 0,5

15 (КТ342В)

и 25 (КТ342Г)

Обратный ток

эмиттера, мкА, при Uэб=5 В

30 30 30 30

Напряжение U

В, при

<10 кОм и темпе

ратуре

среды, °С

от — 60 до +100 30 25 10 60

125 25 20 10 45

Напряжение Uкэ,

В, при

нулевом токе базы, I

э=5 мА

и температуре от — 60 д

+100°С

25 20 10 25

Напряжение, В, в режи

ме

насыщения при I

=10 мА и.

Iб=1 мА. коллектора 0,1 0,1 0,1 0,2

эмиттера 0,9 0,9 0,9 1,1

Граничная частота пере

дачи

тока, МГц

300 300 300 300

Ток коллектора, мА 50 50 50 50

Импульсный ток коллек-

тора, мА

300 300 300 300

Мощность *, рассеивае

мая

коллектором, мВт

250 250 250 250

* При температуре среды выше 26 °С мощность, мВт, Pк.макс=150.

Транзисторы р-n-р КТ345 (А, Б, В) выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (рис. 63, д),

массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85°С

Электрические параметры транзисторов приведены ниже

Статический коэффициент передачи тока при U

=1 В и Iэ=100 мА для транзисторов:

КТ345А .............. 20 — 60

КТ345Б............... 50 — 85

КТ345В .............. 70 — 105

Модуаь коэффициента передачи тока при f=

= 100 МГц, U

=5 В и I

=10 мА...... 3,5

Емкость, пФ:

коллектора при f=1-10 МГц и U

в=5 В . 15

эмиттера при f=5-4-10 МГц и Uэб=0 В . . 30

Обратный ток, мкА:

коллектора при U

=20 В....... I

эмиттера при U

аб

=4 В........ 1

Напряжение Uкб, В........... 20

Напряжение U

a, В.......... 20

Напряжение U

в, В........... 4

Напряжение, В, в режиме насыщения при I

= 100 мА и Iб=10 мА:

Uкэ................ 0,14 — 0,3

ба

................ 0,92 — 1.1

Ток коллектора, мА-

постоянный............. 200

импульсный ............ 300

Мощность*, мВт, рассеиваемая коллектором:

постоянная............. 100

импульсная............. 300

Температура перехода, °С........ 150

Тепловое сопротивление переход — окружающая

среда, °С/мВт............. 1,1

* При температуре среды выше 40 °С мощность, мВт, Р

КМЛК

с,= (150 — T

)/1,1

Транзисторы р-n-р КТ363 (А, Б) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (см, рис 63,в),

массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 40 до +85 °С Электрические параметры транзисторов

приведены ниже

КТ363А КТ363В

Статический коэффициент пе

редачи

тока при Uк=5 В и I

=5 мА 20 — 70 40 — 120

Емкость коллектора, пФ, при U

кб

=5 В и

f=10 МГц ..... 2 2

Модуль коэффициента передачи то

ка

при f=100 МГц и I

= 5 мА 12 15

Граничная частота передачи тока, МГц

........ .... 1200 1500

Постоянная времени цепи обрат

ной

связи, пс, при U

=5 В, I

=5 мА

Время рассасывания, не, при I

=10

мА и токе первой базы: 1 мА ...........

50 10 75

0,5 мА ....... ... — 5

Обратный ток, мкА коллектора при

б=15 В . . 0,5

эмиттера при U

б=4 В ... 0,5

Ток коллектора, мА: постоянный 30

ИМПУЛЬСНЫЙ При Тимп=1 МКС

и скважности более 2 ..... 50

Напряжение, В, в режиме насыще-

ния при Iк=10 мА и I6=1 мА: U

кэ ...........

0,35

Uвэ ........... 1,1

Напряжение U

кб

, В ..... 15

Напряжение U

аб

, В ..... 4

Мощность *, рассеиваемая коллек-

тором, мВт . . .. .......

150

* При температуре среды выше 45 °С мощность, мВт, Р

КМ&КС

— =(150-T

)/0.7.

§ 36. Транзисторы средней мощности

Низко- и среднечастотные. Транзисторы р-n-р ГТ403 (А — И, 10) выпускаются в металлическом корпусе с

гибкими выводами (рис. 64, а), массой 4 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до + 70

С. Основные их

параметры приведены ниже.

Рис. 64. Цоколевка и основные размеры транзисторов:

а — ГТ403, б — ГТ404

ГТ403 (А-Е, К) ГТ403 (Ж, И)

Статический коэффициент передачи

тока при I

=0,45 А ..... 30 30

Обратный ток, мкА, при 20 °С: 50 70

50 70

Ток коллектор — эмиттер при от- 5 6

Коэффициент передачи тока при I

э=100

мА, U

=5 В и f=50-300 Гц для групп:

ГТ403 (А, В, Ж) ...... 20 — 60

ГТ403 (Б, Г, Д) ...... 50 — 150

ГТ403 (10) ........ 30 — 60

Предельная частота передачи тока, кГц,

в схеме с ОЭ при I

=100 мА и U

для ipynn: ГТ403 (А — В, Е, Ж, И, 10)

ГТ403 (Г, Д) ........ 6

Напряжения, В, в режиме насыщения: 0,5

0,8

Напряжения U

Кб

и U

Кэ

, В, для групп:

ГТ403 (А, Б, 10) ...... 45 и 30

ГГ403 (В, Г, Д, Е) ..... 60 и 45

80 и 60

1,25

0,4

Тепловое сопротивление, °С/Вт: 15

100

Температура перехода, °С . . . . 85

Примечания: 1. Напряжение Uэб для ГТ403Д равно 30 В. а для всех остальных групп — 20 В 2 Тепловое

сопротивление транзисторов ГТ403В и ГТ403Е с теплоотводом — 12 °С/Вт.

Транзисторы n-р-n ГТ404 (А, Б, В, Г) применяются для работы в выходных каскадах усилителей звуковых

частот и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис 64,6) двух вариантов, рассчитанных

на предельную мощность 300 и 600 Вт, с массой соответственна 2 и 5 г, с диапазоном рабочих температур от —

40 до +55 °С. Основные параметры транзисторов приведены ниже.

ГТ404А ГТ404Б

ГТ404В ГТ404Г

Статический коэф

фициент

передачи тока при U

=1B

Iэ=

30 — 80

60 —

150

30 — 80 60 — 150

Напряжение U

В, при

Rс=200 Ом и T

=55°С . . . . . 25 25 40 40

Обратный ток, мкА;

коллектора при Uкб=10

В . . ,

эмиттера при U

эб

=10 В , .

25 25

Предельная часто

та передачи

тока, МГц, в схеме ОБ . .

Напряжение Vac, В, при I

и Iб= -2 мА . . . . . .

0,3

Ток коллектора, А

Температура перехода, °С . . .

0,5 85

Общее тепловое со-

противление, °С/мВт, для

максимальной мощности,

мВт: 600 . . . . . .

300 . ..... 0,15