4.4
Успехи
и предельные возможности технологии 323
2
20
триггеров (что отвечает плотности информации 10
13
бит/м
3
),
т. е. целый микропроцессор с шириной обработки 32 бит.
В технологии интегральных
схем
производство электронных
элементов и групп осуществляется с помощью сложных процес-
сов напыления и диффузионного внедрения. При этом для по-
крытия
используются так называемые маски, которые должны
воспроизводить детали с точностью до 1—3 мкм, а толщина
эффективного
слоя составляет всего 1 мкм. То есть это примерно
те же размеры, что и у нервных клеток. Между тем уже достиг-
нуты ширина эмиттера транзисторов, равная 1 мкм, и толщина
•базы, равная 0.25 мкм. Так как видимый свет лежит в диапа-
зоне
волн
0.4—0.8
мкм, то тем самым достигнута граница,
обусловленная использованием оптических изображений. Для
дальнейшего уменьшения размеров элементов памяти нужно
применять
электронно-оптические методы или работать с рент-
геновскими
лучами.
Почему же размеры вычислительных машин не уменьшились
по
сравнению с 1952 г. в 10
10
раз? Прежде всего потому, что
машины
стали функционально богаче, а также потому, что
остались прежними ограничения на зазоры
между
соединитель-
ными
проводниками, а механические части и устройства пита-
ния
едва ли занимают сейчас меньше места, чем раньше. За-
метим, что из-за большей регулярности устройств памяти
плотность их упаковки примерно в пять раз выше, чем у микро-
процессоров.
Плотность,
получаемая в более крупных единицах, в так
называемых выводах интегральных схем, до сих пор составляет
лишь
сотую
долю от плотности, достигаемой на полупроводни-
ковом
кристалле. Значительную часть места занимают корпуса
полупроводниковых чипов и соединения
между
ними. Поэтому
целью дальнейшего развития должно быть объединение в одной
интегральной
схеме
не тысяч логических элементов и элементов
памяти,
а миллионов и более („большая интеграция").
Однако здесь есть предел, связанный с отводом тепла.
Выделение тепла не должно превышать 10 Вт на „кирпичик".
К
1985 г.
следует
рассчитывать на ЭВМ с 10
8
элементами (без
памяти).
На элементарный переключательный элемент в зави-
симости от технологии приходится мощность тепловых потерь
от 10~
6
до 10~
4
Вт. Дальнейшее увеличение плотности упаковки
возможно лишь при одновременном снижении потребляемой
мощности.
Применение
КМОП-технологии ' сводит тепловые потери на
элемент памяти к 10~
7
Вт, и указанную проблему, по крайней
мере для случая большой памяти, можно считать решённой,
1
В которой используется комплементарная
структура:
металл — оки-
сел — полупроводник. Отсюда сокращение. —
Прим.
изд. ред.