_____________________________________________________________________________________________
23
традиционные материалы [8]. Разработаны наноструктурная никелевая
фольга и магнитомягкий наносплав «Файнмет» [2,3,11]. Высокие значения
коэрцитивной силы ряда наноматериалов делают перспективным их
использование в качестве постоянных магнитов [8]. Углеродные нанотрубки,
напылённые железом, а также интерметаллидами самария с кобальтом типа
Sm
x
Co
y
применяются в магнитных чернилах и тонерах. Углеродные
нанотрубки, заполненные карбидами тугоплавких металлов (TaC, NbC, MoC)
могут использоваться в качестве сверхпроводников [8]. Добавление
нанопорошков в состав ряда сверхпроводников может улучшать такие
показатели, как температуру перехода в сверхпроводящее состояние и
критическую плотность тока за счет образования дополнительных центрами
пиннинга [44,45]. Пленки Ti-C-B с размером зерна около 2 нм обладали
оптимальными электрофизическими свойствами в качестве резисторов при
высокой термической стабильности по сравнению с объемными обычными
образцами [8]. Упорядоченные структуры в виде «ковров» из нанопроволок
могут использоваться как сенсоры или элементы экранов высокого
разрешения. [4]. Соединение углеродных нанотрубок с различной
хиральностью (т.е. скрученностью кристаллической решетки относительно
оси трубки) образует нанодиод, а трубка, лежащая на поверхности
окисленной кремниевой пластины – канал полевого транзистора (рис. 3.4.)
[4]. Для устройств записи данных сверхвысокой плотности, в том числе для
так называемых квантовых магнитных дисков, разработаны получаемые
электролитическим осаждением на пористую подложку из оксида алюминия
нанопроволоки из сплава Fe
0,3
Co
0,7
диаметром 50 нм (рис 3.5) [46].
Фуллерены и наноматериалы на их основе являются перспективными
материалами для создания изделий области полупроводниковой, оптической
и фотоэлектрической техники [47].
Композитные фуллереноосновные пленки
С
60
-CdTe при содержание 15…20 мас.% CdTe являются основой для получения
регулярных наноструктур с заданными оптическими свойствами (рис.3.6) [36,48].
Нанотехнологии на основе метода метод ионно-атомного осаждения позволяют
получать для электронных и оптических изделий нанокомпозиции «покрытие -
переходный слой - подложка» из термодинамически несмешиваемых элементов,
отличающихся высокой адгезией и стойкостью к внешним термическим и
механическим воздействиям, например пленки золота на кремниевых подложках со
структурой поверхности в виде набора атомно-гладких сфероидальных
сегментов (рис. 3.7) [35,49]. В качестве перспективных полупроводниковых
материалов рассматриваются
эпитаксиальные слои GaN, в т.ч. на сапфировой
подложке, самоорганизация топографической наноструктуры поверхности которых