60
(ТТЛШ);
- по эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ);
- по интегральной инжекционной логики (И
2
Л).
Вид технологии изготовления БИС во многом определяет
степень интеграции микросхем, быстродействие, энергопотребле-
ние, помехозащищенность и стоимость МП. По комплексу этих
признаков можно отдать предпочтение МП, выполненным по n -
МОП и КМОП технологиям, обеспечивающих высокую плотность
компоновки, высокое быстродействие и относительно малую
стоимость. ЭСЛ и ТТЛШ технологии обеспечивают МП самое
высокое быстродействие
, но микропроцессорные БИС (МП БИС)
при этом отличаются самой низкой плотностью компоновки и вы-
соким энергопотреблением. МП на основе И
2
Л технологии обла-
дают усредненными характеристиками. По плотности компоновки
они уступают n - МОП, по быстродействию - ЭСЛ и ТТЛШ, а по
стоимости - n - МОП и p - МОП МП. Вместе с тем, p - МОП тех-
нология обеспечивает МП наиболее низкую стоимость, но его бы-
стродействие при этом является также наиболее низким.
В процессе развития микропроцессорных средств, кроме
микропроцессорных БИС, были разработаны различные инте-
гральные микросхемы, выполняющие различные функции и по-
зволяющие в совокупности построить микроЭВМ требуемой
структуры. Эти микросхемы совместно с МП БИС образуют мик-
ропроцессорный комплект (МПК БИС), который может быть оп-
ределен как совокупность конструктивно и электрически совмес-
тимых интегральных схем, предназначенных для построения МП,
микроЭВМ и других вычислительных устройств с определенным
составом и требуемыми технологическими характеристиками.
Основу любого МПК БИС образует базовый комплект инте-
гральных микросхем, который предназначен для построения МПС
и может состоять из БИС однокристального или из нескольких
корпусов многокристального МП. Базовый комплект, как правило,
дополняется другими типами интегральных схем, на которых реа
-
лизуются запоминающие устройства, устройства сопряжения с
объектом и различные устройства ввода - вывода. Эти микросхемы
в общем случае могут иметь другой номер серии или даже иной
тип корпуса.