
Устойчивость углеродных нанокластеров обусловлена магическими
числами атомов углерода. Различают малые углеродные нанокластеры (с N <
24) и большие (с N ≥ 24) [2]. Малые нанокластеры проявляют устойчивость
при нечетных магических числах (N = 3, 7, 11, 19, 23), среди них наиболее
стабильными являются нанокластеры с N = 7, 11, 19, 23. В свою очередь,
большие нанокластеры проявляют устойчивость при четных магических чис-
лах (N = 24, 28, 32, 36, 50, 60, 70, …), среди них наиболее стабильными явля-
ются нанокластеры с N = 60 и 70. Углеродные нанокластеры с N ≥ 24 иначе
называют фуллеренами, которые принято обозначать символом С
N
. Таким
образом, наиболее стабильными являются фуллерены С
60
и С
70
. Следует за-
метить, что фуллерены также рассматриваются как полиморфные модифика-
ции углерода (наряду с графитом и алмазом). Это означает, что они пред-
ставляют собой особые по структуре нанокристаллы. Итак, можно сказать,
что на сегодняшний день имеется двойственный подход к определению фул-
леренов – как нанокластеров, с одной стороны, и как нанокристаллов, с дру-
гой. Более того, довольно часто фуллерены рассматривают как гигантские
молекулы углерода, что может быть обусловлено наличием аналогии в
структуре фуллеренов и сложных молекул ряда органических соединений,
характеризующихся пространственной конфигурацией, а также в характере
проявления химических свойств тех и других.
Магические нанокластеры могут формироваться при различных услови-
ях, как в объеме конденсирующейся
среды, так и на поверхности подложки,
которая может оказывать определенное
влияние на характер формирования на-
нокластеров.
Рассмотрим в качестве примера
особенности образования наноразмер-
ных островков при осаждении чуже-
родных атомов на поверхность твердо-
го тела [3, 4]. Осажденные атомы миг-
рируют по поверхности и, соединяясь
между собой, формируют островки.
Этот процесс носит стохастический
(случайный) характер. Поэтому ост-
ровки различаются по размеру и рас-
пределены по поверхности неравно-
Рис. 4.2. Массив наноостровков Si,
полученных напылением пяти
моноатомных слоев Si на поверхность Si
(100), покрытую тонким слоем SiO
2
[3]
СТМ-изображение