тельно улучшить их характеристики. Для датчиков, работающих в диапа-
зоне температур до 180 °С, в качестве тензочувствительного материала ис-
пользуется константан. Для более высоких температур (200-1000 °С) при-
меняются специальные сплавы.
Как правило, для всех тензорезисторов необходимы надежные спосо-
бы их закрепления на поверхности испытываемых (деформируемых) объ-
ектов, а также требуется нанесение герметизирующих покрытий, предот-
вращающих нежелательные загрязнения. Особого искусства и техники
требует также выполнение электрических соединений.
В последние годы изготавливают датчики с полупроводниковыми
тензорезисторами, выращенными непосредственно на упругом элементе,
выполненном из кремния и сапфира. Упругие элементы из кристалличе-
ских материалов обладают упругими свойствами, близкими к идеальным, и
существенно меньшим гистерезисом и нелинейностью по сравнению с ме-
таллическими.
На одном упругом элементе выращивается обычно не один тензорези-
стор, а структура в виде полумоста или даже целый мост; кроме того, тер-
мокомпенсирующие элементы. В частности, КНС-структура (кремний на
сапфире) положена в основу большой серии унифицированных датчиков
давления, образующих приборный комплекс «Сапфир-22». Дальнейшим
развитием унифицированных датчиков абсолютного давления и перепада
давлений является создание комплекса датчиков «Сапфир-300», которые
базируются на чувствительном элементе с МДМ-структурой (металл
-
ди-
электрик
-
металл).
Терморезисторы, в отличие от потенциометрических и тензорези-
сторных датчиков, применяются только для измерения температуры. Под-
робнее рассмотрим в разделе «Измерение температуры».
Емкостные датчики. Эти датчики имеют разнообразные области
применения, однако наибольшее распространение они получили для изме-
рения малых перемещений и физических величин, легко преобразуемых в
перемещение, например, давлений.
В простейшем случае они состоят из двух металлических пластин
(электродов), разделенных малым воздушным зазором. Любое изменение
зазора либо перекрывающихся площадей (при движении одной пластины
вдоль другой) будет вызывать изменение емкости, которое затем можно
измерить. Достоинствами емкостных датчиков в отличие от резисторных и
индуктивных являются отсутствие шумов и самонагрева, стабильность
метрологических характеристик во времени, потенциально высокая термо-
устойчивость. Емкостные датчики конструктивно исключительно просты,
в них легко может быть внедрена микроэлектронная технология.
Перемещение подвижного электрода и соответствующее изменение
емкости может быть измерено с помощью самоуравновешивающегося