СПбГЭТУ "ЛЭТИ" им. Ульянова (Ленина), СПб, Россия, 2015, 1 страница
Шпаргалка к экзамену по дисциплине "Процессы микро- и
наноэлектроники" выполнена на 1 странице формата А4 альбомной
ориентации формулами (Cambria Math, 8 пт), текстом (Times New
Roman, 8 пт) и рисунками в 4 колонки.
Заголовки:
Анализ гомогенного зарождения новой фазы; Скорость образования зародыша; Гетерогенное зародышеобразование; Влияние технологических факторов на зародышеобразование и структуру пленок; Эпитаксия; Элементы кинетической теории зародышеобразования; Адсорбционные процессы на поверхности; Резерфордовское обратное рассеяние Материал заинтересовал преподавателя, и он попросил его после экзамена в подарок:)
Анализ гомогенного зарождения новой фазы; Скорость образования зародыша; Гетерогенное зародышеобразование; Влияние технологических факторов на зародышеобразование и структуру пленок; Эпитаксия; Элементы кинетической теории зародышеобразования; Адсорбционные процессы на поверхности; Резерфордовское обратное рассеяние Материал заинтересовал преподавателя, и он попросил его после экзамена в подарок:)