Татохин Е.А., Буданов А.В. и др. Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями заряда между уровнями и обеими разрешенными зонами

Власков В.А. Специальные разделы в физике

формат rtf
размер 222.96 КБ
добавлен 15 октября 2009 г.

Основы зонной теории твердых тел. Квантовая статистика. Квантовая теория теплоемкости. Проводимость металлов и полупроводников. Контактные и термоэлектрические явления. Диффузия и дрейф носителей заряда в полупроводниках.

Воробьев Л.Е. и др. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах

формат pdf
размер 3.02 МБ
добавлен 20 января 2011 г.

Учеб. пособие / Под ред. Л. Е. Воробьева. - СПб.: Наука, 2000. - 160 с., ил. 73 (Серия учебных пособий "Новые разделы физики полупроводников"). В пособии рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях: функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и другие. П...

Дымников В.Д., Константинов О.В. Уровни энергий в квантовой яме с прямоугольными стенками сложной формы

Статья

формат pdf
размер 713.14 КБ
добавлен 04 апреля 2011 г.

Статья из журнала ФТП, 1995, том 29, вып. 1 Получено трансцендентное аналитическое уравнение для опреления спектра уровней в прямоугольной квантовой яме, имеющей дополнительный провал в середине ее широкой части. Показано, что за счет этого провала появляется возможность увеличения энергетического зазора между двумя нижними уровнями. Это позволяет понять, почему в двухбарьерных структурах со сложным профилем достигается на экперименте большая кон...

Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела

формат pdf
размер 12.95 МБ
добавлен 12 сентября 2010 г.

М.: Изд-во МГУ, физ. фак-т, 1999. 284 с. Рассмотрены электронные, атомные, молекулярные процессы и взаимосвязь между ними в поверхностных фазах, явления в областях пространственного заряда, природа поверхностных электронных состояний, размерные эффекты. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических специальностей. Ряд разделов заинтересует химиков, биофизиков, биохимиков и других специалистов, работающих над проблемами...

Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела

формат djvu
размер 2.86 МБ
добавлен 13 сентября 2009 г.

М.: Изд-во МГУ, физ. фак-т, 1999. 284 с. Рассмотрены электронные, атомные, молекулярные процессы и взаимосвязь между ними в поверхностных фазах, явления в областях пространственного заряда, природа поверхностных электронных состояний, размерные эффекты. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических специальностей. Ряд разделов заинтересует химиков, биофизиков, биохимиков и других специалистов, работающих над проблемами...

Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория

формат djvu
размер 5.98 МБ
добавлен 16 января 2012 г.

Монография, М.: Мир, 1984. – 264 с. Цель данной книги – познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами

Статья

формат tif
размер 451.22 КБ
добавлен 12 декабря 2011 г.

Отрывок из журнала физика и техника полупроводников, Санкт-Петербург, Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №4 с. 437 – 440 Анотация. Рассмотрены некоторые особенности спектров DLTS глубоких уровней, которые эффективно обмениваются носителями тока с обеими разрешенными зонами. Показано, что максимумы пиков смещаются незначительно по шкале температур, но обработка спектров традиционными методами приводит к ошибкам в определении параметр...

Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности

формат djvu
размер 9.03 МБ
добавлен 19 января 2011 г.

М, Наука, 2006, 490с. Основы двумерной кристаллографии Экспериментальные условия Методы анализа поверхности I. Дифракция Методы анализа поверхности II. Электронная спектроскопия Методы анализа поверхности III. Зондирование ионами Методы анализа поверхности IV. микроскопия Атомная структура чистых поверхностей Атомная структура поверхностей с адсорбатами Структурные дефекты поверхностей Электронные свойства поверхностей Элементарные процессы на по...

Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности

формат pdf
размер 17.19 МБ
добавлен 16 февраля 2009 г.

Основы двумерной кристаллографии. Экспериментальные условия. Методы анализа поверхности: дифракция, электронная спектроскопия, зондирование ионами, микроскопия. Атомная структура чистых поверхностей. Атомная структура поверхностей с адсорбатами. Структурные дефекты поверхностей. Электронные свойства поверхностей. Элементарные процессы на поверхности: адсорбция и десорбция, диффузия. Рост тонких плёнок. Атомные манипуляции и формирование нанострук...

Шалимова К.В. Физика полупроводников

формат pdf
размер 6.82 МБ
добавлен 18 августа 2010 г.

М.: Энергоатомиздат, 1985. — 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектр...