Выходные данные не известны. М.: 2009 г. — 246 с.
Описание:
В настоящем издании рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства.
Издание предназначено для специалистов, работающих в области конструирования изделий полупроводниковой электроники и технологии их изготовления, а также обеспечения радиационной стойкости комплектующих элементов и аппаратуры. Издание также будет полезно для студентов и аспирантов, обучающихся по направлению «Микроэлектроника и твердотельная электроника». Содержание:
Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
Краткое описание радиационных характеристик в окружающем пространстве
Радиационные условия в космическом пространстве
Ионизирующие излучения ядерного взрыва
Ионизирующие излучения атомных электростанций
Величины, характеризующие ионизирующее излучение и его взаимодействие с веществом
Некоторые величины и единицы, характеризующие ионизирующее излучение и его поле
Некоторые величины и единицы, характеризующие взаимодействие ионизирующего излучения с веществом
Некоторые дозиметрические величины и единицы
Некоторые величины и единицы, характеризующие изотопные источники ионизирующих излучений
Физические процессы при взаимодействии ионизирующих излучений с материалами электронной техники
Первичные радиационные эффекты при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы
Смещение атомов из узлов решетки при воздействии ионизирующих излучений
Ионизация при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы
Ядерные превращения при воздействии ионизирующих излучений
Термостабильные радиационные центры в полупроводниках Изменение электрофизических параметров полупроводниковых материалов при радиационном облучении
Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении
Диодные структуры
Транзисторные структуры
Устойчивость радиационных изменений электрических параметров полупроводниковых приборов Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем
Особенности строения структуры Si/SiO2
Особенности строения диоксида кремния
Особенности строения границы раздела Si/SiO2
Влияние водорода и водородсодержащих соединений на свойства структуры Si/SiO2
Электрические методы исследований заряда в оксиде и плотности поверхностных состояний
Метод ВФХ
Метод подпороговых ВАХ
Методы, основанные на измерении надпороговой ВАХ транзисторов
Метод накачки заряда
Накопление и релаксация зарядов в структуре Si/SiO2 при радиационном облучении и отжиге
Общее описание процессов накопления заряда в структурах Si/SiO2 при радиационном облучении
Выход заряда
Перенос дырок через SiO2
Накопление и нейтрализация заряда на ловушках в оксиде
Механизм нейтрализации заряда в оксиде
Особенности накопления поверхностных состояний при радиационном облучении
Латентное накопление поверхностных состояний
Накопление поверхностных состояний в зависимости от интенсивности излучения
Отжиг поверхностных состояний
Механизм накопления поверхностных состояний
Граничные ловушки
Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
Изменение характеристик МОП-транзисторов и КМОП-логических элементов при радиационном облучении
Влияние конструктивно-технологических характеристик на радиационную стойкость МОП-структур
Радиационные эффекты в МОП-структурах с ультратонкими оксидами
Некоторые особенности дозовых радиационных эффектов в МДП-структурах с альтернативными диэлектриками
Влияние полевых оксидов на радиационную стойкость ИС
Особенности проявления дозовых радиационных эффектов в микросхемах, изготовленных по КНИ-технологии
Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП- и КМОП-структур
Корреляция между отдельными транзисторами и микросхемами
Наихудший электрический режим
Влияние на радиационную стойкость высокотемпературной нагрузки (наработки) перед облучением
Выбор источников ионизирующих излучений при проведении радиационных испытаний МОП и КМОП ИС
Процедуры радиационных испытаний, учитывающие влияние факторов низкой интенсивности облучения Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)
Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных транзисторов
Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных интегральных схем
Физические модели эффектов низкоинтенсивного облучения биполярных приборов и микросхем
Проблема экспериментального моделирования воздействия излучений низкой интенсивности на биполярные изделия
Выводы Одиночные события в бис при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
Основные виды и классификация одиночных событий
Краткое описание основных видов ОС
Основные параметры чувствительности полупроводниковых приборов и микросхем к одиночным событиям
Физические процессы, приводящие к возникновению одиночных событий
Общее описание процессов возникновения одиночных событий
Образование носителей заряда (ионизация)
Рекомбинация неравновесных носителей заряда
Перенос неравновесных носителей
Сбор заряда
Экспериментальные методы исследования чувствительности изделий полупроводниковой электроники к одиночным событиям при воздействии тяжелых заряженных частиц и протонов
Эксперименты на ускорителях протонов
Эксперименты на ускорителях ионов
Эксперименты с изотопными источниками
Эксперименты с использованием ионных микропучков
Эксперименты с использованием имитаторов
Литература
В настоящем издании рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства.
Издание предназначено для специалистов, работающих в области конструирования изделий полупроводниковой электроники и технологии их изготовления, а также обеспечения радиационной стойкости комплектующих элементов и аппаратуры. Издание также будет полезно для студентов и аспирантов, обучающихся по направлению «Микроэлектроника и твердотельная электроника». Содержание:
Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
Краткое описание радиационных характеристик в окружающем пространстве
Радиационные условия в космическом пространстве
Ионизирующие излучения ядерного взрыва
Ионизирующие излучения атомных электростанций
Величины, характеризующие ионизирующее излучение и его взаимодействие с веществом
Некоторые величины и единицы, характеризующие ионизирующее излучение и его поле
Некоторые величины и единицы, характеризующие взаимодействие ионизирующего излучения с веществом
Некоторые дозиметрические величины и единицы
Некоторые величины и единицы, характеризующие изотопные источники ионизирующих излучений
Физические процессы при взаимодействии ионизирующих излучений с материалами электронной техники
Первичные радиационные эффекты при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы
Смещение атомов из узлов решетки при воздействии ионизирующих излучений
Ионизация при воздействии проникающей радиации на полупроводниковые материалы
Ядерные превращения при воздействии ионизирующих излучений
Термостабильные радиационные центры в полупроводниках Изменение электрофизических параметров полупроводниковых материалов при радиационном облучении
Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении
Диодные структуры
Транзисторные структуры
Устойчивость радиационных изменений электрических параметров полупроводниковых приборов Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем
Особенности строения структуры Si/SiO2
Особенности строения диоксида кремния
Особенности строения границы раздела Si/SiO2
Влияние водорода и водородсодержащих соединений на свойства структуры Si/SiO2
Электрические методы исследований заряда в оксиде и плотности поверхностных состояний
Метод ВФХ
Метод подпороговых ВАХ
Методы, основанные на измерении надпороговой ВАХ транзисторов
Метод накачки заряда
Накопление и релаксация зарядов в структуре Si/SiO2 при радиационном облучении и отжиге
Общее описание процессов накопления заряда в структурах Si/SiO2 при радиационном облучении
Выход заряда
Перенос дырок через SiO2
Накопление и нейтрализация заряда на ловушках в оксиде
Механизм нейтрализации заряда в оксиде
Особенности накопления поверхностных состояний при радиационном облучении
Латентное накопление поверхностных состояний
Накопление поверхностных состояний в зависимости от интенсивности излучения
Отжиг поверхностных состояний
Механизм накопления поверхностных состояний
Граничные ловушки
Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур
Изменение характеристик МОП-транзисторов и КМОП-логических элементов при радиационном облучении
Влияние конструктивно-технологических характеристик на радиационную стойкость МОП-структур
Радиационные эффекты в МОП-структурах с ультратонкими оксидами
Некоторые особенности дозовых радиационных эффектов в МДП-структурах с альтернативными диэлектриками
Влияние полевых оксидов на радиационную стойкость ИС
Особенности проявления дозовых радиационных эффектов в микросхемах, изготовленных по КНИ-технологии
Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП- и КМОП-структур
Корреляция между отдельными транзисторами и микросхемами
Наихудший электрический режим
Влияние на радиационную стойкость высокотемпературной нагрузки (наработки) перед облучением
Выбор источников ионизирующих излучений при проведении радиационных испытаний МОП и КМОП ИС
Процедуры радиационных испытаний, учитывающие влияние факторов низкой интенсивности облучения Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)
Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных транзисторов
Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных интегральных схем
Физические модели эффектов низкоинтенсивного облучения биполярных приборов и микросхем
Проблема экспериментального моделирования воздействия излучений низкой интенсивности на биполярные изделия
Выводы Одиночные события в бис при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
Основные виды и классификация одиночных событий
Краткое описание основных видов ОС
Основные параметры чувствительности полупроводниковых приборов и микросхем к одиночным событиям
Физические процессы, приводящие к возникновению одиночных событий
Общее описание процессов возникновения одиночных событий
Образование носителей заряда (ионизация)
Рекомбинация неравновесных носителей заряда
Перенос неравновесных носителей
Сбор заряда
Экспериментальные методы исследования чувствительности изделий полупроводниковой электроники к одиночным событиям при воздействии тяжелых заряженных частиц и протонов
Эксперименты на ускорителях протонов
Эксперименты на ускорителях ионов
Эксперименты с изотопными источниками
Эксперименты с использованием ионных микропучков
Эксперименты с использованием имитаторов
Литература