Москва 2002.
Весь материал курса разбит на главы, тесно связанные друг с другом.
на основе теории химических связей излагаются основные закономерности образования полупроводников.
рассмотрены структурные дефекты и их влияние на свойства материала.
Описание существующих фазовых диаграмм, которые позволяют выбрать оптимальные условия получения полупроводника заданного состава, а также элементы общей теории образования фаз.
Методы получения материалов полупроводниковой степени чистоты.
посвящена описанию основных технологических методов получения полупроводниковых монокристаллов из жидкой и газовой фаз.
изложены общие принципы и методы легирования полупроводников
рассмотрены основные закономерности диффузии, широко используемой для создания заданного профиля распределения примесей в полупроводниковых структурах.
описаны основные закономерности роста эпитаксиальных пленок и основные используемые в настоящее время методы эпитаксии — жидкостная и газовая эпитаксия, MOCVD, молекулярно-лучевая эпитаксия и др.
Весь материал курса разбит на главы, тесно связанные друг с другом.
на основе теории химических связей излагаются основные закономерности образования полупроводников.
рассмотрены структурные дефекты и их влияние на свойства материала.
Описание существующих фазовых диаграмм, которые позволяют выбрать оптимальные условия получения полупроводника заданного состава, а также элементы общей теории образования фаз.
Методы получения материалов полупроводниковой степени чистоты.
посвящена описанию основных технологических методов получения полупроводниковых монокристаллов из жидкой и газовой фаз.
изложены общие принципы и методы легирования полупроводников
рассмотрены основные закономерности диффузии, широко используемой для создания заданного профиля распределения примесей в полупроводниковых структурах.
описаны основные закономерности роста эпитаксиальных пленок и основные используемые в настоящее время методы эпитаксии — жидкостная и газовая эпитаксия, MOCVD, молекулярно-лучевая эпитаксия и др.