Методические указания, Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики, Новосибирск, 2015, стр. 32
Курсовая работа состоит из введения, обоснования выбора структурной и принципиальной схемы интегрального усилителя, расчета параметров его элементов, расчета амплитудно-частотной характеристики усилителя, расчета размеров элементов гибридной интегральной схемы и разработки её технологического чертежа. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого усилителя. Рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на биполярных и полевых транзисторах. Даются рекомендации по расчету элементов гибридной интегральной схемы и разработке её топологического чертежа. В приложении содержатся параметры и характеристики бескорпусных биполярных и полевых транзисторов.
Курсовая работа состоит из введения, обоснования выбора структурной и принципиальной схемы интегрального усилителя, расчета параметров его элементов, расчета амплитудно-частотной характеристики усилителя, расчета размеров элементов гибридной интегральной схемы и разработки её технологического чертежа. В указаниях приводится структурная и принципиальная схемы проектируемого усилителя. Рассмотрены особенности электрического расчета усилителя на биполярных и полевых транзисторах. Даются рекомендации по расчету элементов гибридной интегральной схемы и разработке её топологического чертежа. В приложении содержатся параметры и характеристики бескорпусных биполярных и полевых транзисторов.