Навчальний посiбник. — Вінниця: ВНТУ, 2010. – 224 с.
В навчальному посібнику викладені основні принципи і напрямки
розвитку мікроелектроніки; проведена класифікація виробів
мікроелектроніки і їх загальна характеристика; описані
фізико-хімічні основи і технологія виготовлення напівпровідникових
і гібридних ІМС.
Вступ
Основні положення і напрямки розвитку
мікроелектроніки
Етапи розвитку електроніки.
Основні положення і принципи мікроелектроніки.
Нові напрямки розвитку мікроелектроніки. Структура і фізико-механічні властивості твердих тіл
Кристалізація і склування.
Рідкі кристали.
Структура ідеальних кристалів. Елементи квантової механіки і фізичної статистики
Корпускулярно-хвильовий дуалізм.
Спін електрона.
Симетрія, вродженість. Теплові властивості твердих тіл
Поняття про нормальні коливання граток.
Поняття про фотони.
Теплоємність твердих тіл.
Теплове розширення твердих тіл.
Теплопровідність твердих тіл. Електропровідність твердих тіл
Природа електричної провідності твердих тіл.
Явище надпровідності. Контактні і поверхневі явища
Робота виходу.
Термоелектронна емісія.
Контактна різниця потенціалів.
Електронно-дірковий перехід. Методи отримання р-n переходу.
Рівноважний стан р-n- переходу.
Випрямні властивості р-n-переходу.
Імпульсні і високочастотні властивості р-п-переходу.
Пробій р-n-переходу. Термоелектричні і гальваномагнітні явища
Термоелектрорушійна сила.
Ефект Пельтьє.
Ефект Холла.
Ефект Еттінгсгаузена. Оптичні і фотоелектричні явища в напівпровідниках
Поглинання світла.
Фотопровідність напівпровідників.
Фотоелектричні явища в р-п-переході.
Випромінювальна рекомбінація в напівпровідниках, світлодіодах.
Когерентне випромінювання. Квантові підсилювачі і генератори.
Поняття про голографію. Технологічні основи напівпровідникової мікроелектроніки
Загальні відомості.
Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію.
Літографія.
Легування напівпровідників дифузією.
Іонне легування напівпровідників.
Епітаксійне нарощування напівпровідникових шарів.
Виготовлення елементів біполярних ІМС.
Виготовлення елементів МДН ІМС. Література
Глосарій
Етапи розвитку електроніки.
Основні положення і принципи мікроелектроніки.
Нові напрямки розвитку мікроелектроніки. Структура і фізико-механічні властивості твердих тіл
Кристалізація і склування.
Рідкі кристали.
Структура ідеальних кристалів. Елементи квантової механіки і фізичної статистики
Корпускулярно-хвильовий дуалізм.
Спін електрона.
Симетрія, вродженість. Теплові властивості твердих тіл
Поняття про нормальні коливання граток.
Поняття про фотони.
Теплоємність твердих тіл.
Теплове розширення твердих тіл.
Теплопровідність твердих тіл. Електропровідність твердих тіл
Природа електричної провідності твердих тіл.
Явище надпровідності. Контактні і поверхневі явища
Робота виходу.
Термоелектронна емісія.
Контактна різниця потенціалів.
Електронно-дірковий перехід. Методи отримання р-n переходу.
Рівноважний стан р-n- переходу.
Випрямні властивості р-n-переходу.
Імпульсні і високочастотні властивості р-п-переходу.
Пробій р-n-переходу. Термоелектричні і гальваномагнітні явища
Термоелектрорушійна сила.
Ефект Пельтьє.
Ефект Холла.
Ефект Еттінгсгаузена. Оптичні і фотоелектричні явища в напівпровідниках
Поглинання світла.
Фотопровідність напівпровідників.
Фотоелектричні явища в р-п-переході.
Випромінювальна рекомбінація в напівпровідниках, світлодіодах.
Когерентне випромінювання. Квантові підсилювачі і генератори.
Поняття про голографію. Технологічні основи напівпровідникової мікроелектроніки
Загальні відомості.
Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію.
Літографія.
Легування напівпровідників дифузією.
Іонне легування напівпровідників.
Епітаксійне нарощування напівпровідникових шарів.
Виготовлення елементів біполярних ІМС.
Виготовлення елементів МДН ІМС. Література
Глосарій