Учебное пособие. — Минск: БГУИР, 2008. — 221 c.
В пособии приведено описание физических моделей технологических
процессов и приборов микроэлектроники, используемых в современных
программных комплексах компьютерного технологического и приборного
проектирования.
Введение.
Физические модели технологических операций микроэлектроники.
Пример технологического маршрута формирования приборов ИМС. КМОП-технология.
Модели диффузионного перераспределения примесей в кремнии.
Модели окисления кремния.
Моделирование ионной имплантации.
Моделирование поликремниевой технологии.
Моделирование формирования силицидов.
Моделирование процессов осаждения.
Моделирование травления.
Моделирование химико-механического полирования.
Физические модели полупроводниковых приборов.
Основные уравнения физики полупроводниковых приборов.
Основы теории статистики носителей заряда.
Пространственный заряд, обусловленный неполной ионизацией, ловушками и дефектами.
Транспортное уравнение энергетического баланса.
Физические явления на границах.
Физические модели переноса носителей заряда.
Модели подвижности носителей заряда.
Модели генерации и рекомбинации носителей.
Модели ударной ионизации.
Заключение.
Литература.
Приложение.
Предметный указатель.
Аббревиатуры англоязычных терминов, Используемых в микроэлектронике.
Физические модели технологических операций микроэлектроники.
Пример технологического маршрута формирования приборов ИМС. КМОП-технология.
Модели диффузионного перераспределения примесей в кремнии.
Модели окисления кремния.
Моделирование ионной имплантации.
Моделирование поликремниевой технологии.
Моделирование формирования силицидов.
Моделирование процессов осаждения.
Моделирование травления.
Моделирование химико-механического полирования.
Физические модели полупроводниковых приборов.
Основные уравнения физики полупроводниковых приборов.
Основы теории статистики носителей заряда.
Пространственный заряд, обусловленный неполной ионизацией, ловушками и дефектами.
Транспортное уравнение энергетического баланса.
Физические явления на границах.
Физические модели переноса носителей заряда.
Модели подвижности носителей заряда.
Модели генерации и рекомбинации носителей.
Модели ударной ионизации.
Заключение.
Литература.
Приложение.
Предметный указатель.
Аббревиатуры англоязычных терминов, Используемых в микроэлектронике.