Нальчик: КБГУ, 2004. — 30 с.
Издание содержит методические разработки по темам и вопросам,
выносимым на самостоятельную работу. В работе рассмотрены
взаимодействия ионизирующих излучений с атомами мишени, описаны
дефекты смешения в кремниевых полупроводниковых приборах, приведены
механизмы отказов и способы повышения радиационной стойкости
изделий электронной техники. Предназначено для студентов-магистров
направления «Электроника и микроэлектроника» по магистерской
программе «Технология и проектирование интегральных схем».
Взаимодействие между частицами и атомами мишени.
Эффекты, вызванные дефектами смещения в кремниевых приборах.
Коэффициенты повреждения.
Радиационные эффекты в биполярных транзисторах и интегральных схемах.
Сбой из-за одиночных частиц.
Эффект усиления дозы.
Радиационные эффекты в резисторах.
Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах.
Механизмы отказов в приборах.
Радиационные эффекты при облучении приборов быстрыми нейтронами.
Общие проблемы разработки радиационно-стойких ИС.
Рекомендации по повышению радиационной стойкости интегральных микросхем.
Литература.
Эффекты, вызванные дефектами смещения в кремниевых приборах.
Коэффициенты повреждения.
Радиационные эффекты в биполярных транзисторах и интегральных схемах.
Сбой из-за одиночных частиц.
Эффект усиления дозы.
Радиационные эффекты в резисторах.
Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах.
Механизмы отказов в приборах.
Радиационные эффекты при облучении приборов быстрыми нейтронами.
Общие проблемы разработки радиационно-стойких ИС.
Рекомендации по повышению радиационной стойкости интегральных микросхем.
Литература.