Конспект лекций. — СПб: НИУ ИТМО, 2012. — 122 с.
Изложены основные представления о процессах роста кристаллов. Описаны основные методы выращивания монокристаллов и законы распределения в них примесей. Курс лекций написан с использованием курса лекций профессора А.А.Майера прочитанных им в стенах Московского химикотехнологического института им. Д.И. Менделеева.
Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200600 «Фотоника и оптоинформатика» при изучении дисциплин «Основы фотоники», «Волноводная фотоника», «Материалы и технологии волоконной и интегральной оптики», а также по направлению 200200 «Оптотехника» при изучении дисциплины «Материалы лазерной оптоэлектроники».
Рекомендовано УМО по образованию в области приборостроения, оптотехники, фотоники и оптоинформатики в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 200600 - «Фотоника и оптоинформатика» и 200200 – «Оптотехника».
Введение.
Оглавление.
Методы выращивания монокристаллов.
Выращивание монокристаллов из расплава.
Методы направленной кристаллизации.
Метод Обреимова-Шубникова.
Метод Бриджмана.
Метод Стокбаргера.
Распределение примесей в кристаллах, выращенных из расплава методом направленной кристаллизации.
Эффективный коэффициент распределения.
Распределение примеси при направленной кристаллизации для случая к<.
Концентрационное переохлаждение.
Образование ячеистой и субструктуры при концентрационном переохлаждении.
Значение формы фронта кристаллизации.
Форма фронта кристаллизации и распределение примесей по поперечному сечению монокристалла.
Выращивание монокристаллов методом вытягивания из расплава.
Метод Чохральского.
Способы нагрева при выращивании монокристаллов методом вытягивания из расплава.
Условия, необходимые для успешного выращивания кристаллов методом Чохральского.
Форма кристалла, выращенного по методу Чохральского.
Регулирование распределения примесей по длине кристалла.
Некоторые особые случаи применения метода Чохральского.
Достоинства метода Чохральского.
Недостатки метода Чохральского.
Метод Киропулоса.
Зонная плавка.
Принцип и области применения зонной плавки.
Области применения зонной плавки.
Зонная очистка.
Методы нагрева при зонной плавке.
Зонная плавка при наличии летучего компонента.
Метод плавающей зоны.
Выращивание монокристаллов методом зонной плавки.
Зонное выравнивание.
Метод Верненля.
(Метод бестигельной порошковой кристаллизации).
Швейцарский способ (автор - Ваган Джеварджян).
Чешский метол.
Образование дефектов в кристаллах, растущих из расплава.
Условия, необходимые для выращивания высококачественных монокристаллов.
Выращивание монокристаллов из растворов.
Кристаллизация из водных растворов и растворов органических жидкостей при нормальном давлении.
Гидротермальный метол выращивания монокристаллов.
Выращивание монокристаллов из раствора в расплаве.
Выращивание монокристаллов из газовой фазы.
Кристаллизация с участием химической реакции.
Достоинства и недостатки методов выращивания монокристаллов из газовой фазы.
Ориентированное нарастание кристаллических веществ (эпитаксия). Примечание. В файле главы расположены не в соответствии с нумерацией в оглавлении.
Изложены основные представления о процессах роста кристаллов. Описаны основные методы выращивания монокристаллов и законы распределения в них примесей. Курс лекций написан с использованием курса лекций профессора А.А.Майера прочитанных им в стенах Московского химикотехнологического института им. Д.И. Менделеева.
Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 200600 «Фотоника и оптоинформатика» при изучении дисциплин «Основы фотоники», «Волноводная фотоника», «Материалы и технологии волоконной и интегральной оптики», а также по направлению 200200 «Оптотехника» при изучении дисциплины «Материалы лазерной оптоэлектроники».
Рекомендовано УМО по образованию в области приборостроения, оптотехники, фотоники и оптоинформатики в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 200600 - «Фотоника и оптоинформатика» и 200200 – «Оптотехника».
Введение.
Оглавление.
Методы выращивания монокристаллов.
Выращивание монокристаллов из расплава.
Методы направленной кристаллизации.
Метод Обреимова-Шубникова.
Метод Бриджмана.
Метод Стокбаргера.
Распределение примесей в кристаллах, выращенных из расплава методом направленной кристаллизации.
Эффективный коэффициент распределения.
Распределение примеси при направленной кристаллизации для случая к<.
Концентрационное переохлаждение.
Образование ячеистой и субструктуры при концентрационном переохлаждении.
Значение формы фронта кристаллизации.
Форма фронта кристаллизации и распределение примесей по поперечному сечению монокристалла.
Выращивание монокристаллов методом вытягивания из расплава.
Метод Чохральского.
Способы нагрева при выращивании монокристаллов методом вытягивания из расплава.
Условия, необходимые для успешного выращивания кристаллов методом Чохральского.
Форма кристалла, выращенного по методу Чохральского.
Регулирование распределения примесей по длине кристалла.
Некоторые особые случаи применения метода Чохральского.
Достоинства метода Чохральского.
Недостатки метода Чохральского.
Метод Киропулоса.
Зонная плавка.
Принцип и области применения зонной плавки.
Области применения зонной плавки.
Зонная очистка.
Методы нагрева при зонной плавке.
Зонная плавка при наличии летучего компонента.
Метод плавающей зоны.
Выращивание монокристаллов методом зонной плавки.
Зонное выравнивание.
Метод Верненля.
(Метод бестигельной порошковой кристаллизации).
Швейцарский способ (автор - Ваган Джеварджян).
Чешский метол.
Образование дефектов в кристаллах, растущих из расплава.
Условия, необходимые для выращивания высококачественных монокристаллов.
Выращивание монокристаллов из растворов.
Кристаллизация из водных растворов и растворов органических жидкостей при нормальном давлении.
Гидротермальный метол выращивания монокристаллов.
Выращивание монокристаллов из раствора в расплаве.
Выращивание монокристаллов из газовой фазы.
Кристаллизация с участием химической реакции.
Достоинства и недостатки методов выращивания монокристаллов из газовой фазы.
Ориентированное нарастание кристаллических веществ (эпитаксия). Примечание. В файле главы расположены не в соответствии с нумерацией в оглавлении.