Приводятся принципы работы и методы анализа простейших
функциональных узлов на полевых транзисторах. Рассмотрены методы
расчёта малосигнальных характеристик электронных усилителей на
полевых транзисторах (коэф. усиления, вх. и вых. проводимости,
полоса пропускания). Описаны методы расчёта и построения ПХ
усилителей по напряжению. Изложены принципы построения логических
элементов на МОП-транзисторах.
изд. МОСКОВСКИЙ ордена ЛЕНИНА и ордена ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ, 2005 г. под ред. В. Н. Кулешова - 104 с.
изд. МОСКОВСКИЙ ордена ЛЕНИНА и ордена ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ, 2005 г. под ред. В. Н. Кулешова - 104 с.