М.: Металлургия, 1975. — 456 с.: 93 ил.
В книге изложены основные вопросы физики процессов диффузии и
окисления полупроводников. Сделана попытка на основе атомистических
модельных представлений рассмотреть наиболее существенные эффекты,
связанные с переносом вещества в объеме, по дефектам и по
поверхности полупроводниковых кристаллов с решеткой алмаза —
сфалерита. Рассмотрен широкий класс проблем, касающихся физики
процесса окисления полупроводников, включая вопросы термодинамики,
построения единой физической модели процессов активного и
пассивного окисления, а также анализа экспериментальных данных по
исследованию физики и кинетики процессов ионно-плазменного,
термического и активного окисления полупроводников.Предназначена
для инженеров и научных работников, занимающихся исследованиями
полупроводниковых материалов, физикой твердого тела и производством
полупроводниковых приборов. Может быть полезна студентам вузов,
изучающим физику и технологию полупроводников.
Предисловие.
Диффузия в полупроводниковых кристаллах.
Элементарная теория диффузии.
Теоретическое и экспериментальное обоснование механизмов диффузии.
Влияние различных факторов на процесс диффузии.
Диффузия по протяженным дефектам.
Концентрация и подвижность точечных дефектов.
Оценка частоты переходов.
Приложение:
Значения коэффициентов диффузии различных веществ в полупроводниковых кристаллах с решеткой алмаза-сфалерита.
Приложение:
Методы решения диффузионных задач.
Физика процесса окисления полупроводников и некоторые свойства термически выращенных окисных пленок.
Термодинамика процесса окисления.
Физическая модель процесса окисления полупроводников.
Анализ экспериментальных данных по кинетике процессов активного и пассивного окисления полупроводников.
Исследования структуры и основных физико-химических параметров окисных пленок.
Некоторые электрофизические параметры термически выращенных окислов.
Маскирующие свойства термически выращенных пленок двуокиси кремния.
Зависимость величины и стабильности поверхностного потенциала окисленного кремния от свойств и метода получения окисной пленки.
Список литературы.
Диффузия в полупроводниковых кристаллах.
Элементарная теория диффузии.
Теоретическое и экспериментальное обоснование механизмов диффузии.
Влияние различных факторов на процесс диффузии.
Диффузия по протяженным дефектам.
Концентрация и подвижность точечных дефектов.
Оценка частоты переходов.
Приложение:
Значения коэффициентов диффузии различных веществ в полупроводниковых кристаллах с решеткой алмаза-сфалерита.
Приложение:
Методы решения диффузионных задач.
Физика процесса окисления полупроводников и некоторые свойства термически выращенных окисных пленок.
Термодинамика процесса окисления.
Физическая модель процесса окисления полупроводников.
Анализ экспериментальных данных по кинетике процессов активного и пассивного окисления полупроводников.
Исследования структуры и основных физико-химических параметров окисных пленок.
Некоторые электрофизические параметры термически выращенных окислов.
Маскирующие свойства термически выращенных пленок двуокиси кремния.
Зависимость величины и стабильности поверхностного потенциала окисленного кремния от свойств и метода получения окисной пленки.
Список литературы.