Григорьев Ф.И. Полупроводниковые источники излучения

Учебное пособие. — Москва: Московский государственный институт электроники и математики (ТУ), 2004. — 43 с. Изложены физические основы генерации и усиления света в полупроводниках.
Рассмотрены принципы действия и устройство полупроводниковых источников
когерентного и некогерентного излучения. Кратко рассмотрены квантоворазмерные структуры для инжекционных лазеров.
Предназначено для студентов по дисциплине «Квантовая и оптическая электроника». Введение.
Физические основы генерации света в полупроводниках.
Спектр спонтанного излучения полупроводника.
Механизмы излучательной рекомбинации.
Самопоглощение рекомбинационного излучения.
Эффективность излучения.
Механизмы возбуждения электролюминесценции в полупроводниках.
Катодолюминесценция.
Усиление света в полупроводниках.
Генерация лазерного излучения в полупроводниках.
Полупроводниковые источники некогерентного излучения.
Светоизлучающие диоды.
Светодиоды на основе гетероструктур.
Электролюминесцентные ячейки.
Полупроводниковые лазеры.
Инжекционные лазеры.
Инжекционные лазеры на гетероструктурах (гетеролазеры).
Гетеролазеры на квантоворазмерных эффектах.
Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой.
Контрольные вопросы.
Литература.