М.: Московский государственный институт электроники и математики,
2011. - 32 с.
Кратко изложены физические основы процессов ионно-плазменного
нанесения тонких пленок в технологии микроэлектроники. Представлена
математическая модель расчета отношения плотности потока
распыляемого вещества от поверхности мишени к плотности потока
осаждаемого вещества на поверхность подложки, а также распределения
толщины тонкопленочного покрытия по поверхности подложки при
проведении процессов ионно плазменного нанесения. Представлено
описание программного обеспечения для расчета геометрических
параметров процесса ионно-плазменного нанесения. Описана методика
выполнения лабораторной работы.
Цель лабораторной работы.
Введение.
Формирование пленок материалов в процессах ионно-плазменного нанесения.
Характеристика процесса ионно-плазменного нанесения.
Распыление материала мишени.
Перенос распыленного материала в пространстве мишень-подложка.
Осаждение материала на подложке.
Загрязнение пленок материалов, полученных ионно-плазменным нанесением.
Ионное осаждение материалов
Описание программного обеспечения для расчета параметров процесса ионной имплантации в полупроводники.
Порядок и методика выполнения лабораторной работы.
Требования к отчету по лабораторной работе.
Контрольные вопросы по лабораторной работе.
Указания по технике безопасности.
Литература.
Введение.
Формирование пленок материалов в процессах ионно-плазменного нанесения.
Характеристика процесса ионно-плазменного нанесения.
Распыление материала мишени.
Перенос распыленного материала в пространстве мишень-подложка.
Осаждение материала на подложке.
Загрязнение пленок материалов, полученных ионно-плазменным нанесением.
Ионное осаждение материалов
Описание программного обеспечения для расчета параметров процесса ионной имплантации в полупроводники.
Порядок и методика выполнения лабораторной работы.
Требования к отчету по лабораторной работе.
Контрольные вопросы по лабораторной работе.
Указания по технике безопасности.
Литература.