Физические основы оптоэлектроники

ТУСУР, ФДО, Контрольная работа № 1, вариант №
5. В контрольной работе приводятся решения задач по определению положения уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в в полупроводниковом образце n-типа и концентрации неосновных носителей, вычисление доли от падающей световой интенсивности которая поглощается в слое полупроводника от освещаемой поверхности, определение величины фотопроводимости германиевого образца. Контрольная работа выполнена по учебному пособию "Физические основы оптоэлектроники",
автор : В.Н. Давыдов
Томск – 2004г.
Зачтена.