Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата
физико-математических наук. Москва: НИЯУ МИФИ, 2010. - 22 с.
(библ., ил.).
Специальность: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния
Науч. рук.: И. А. Руднев.
Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и библиографии.
Введение: Данные о взаимодействии сверхпроводника и источника неоднородного магнитного поля, определение основных параметров этого взаимодействия являются актуальными и представляют значительный научный и прикладной интерес.
Цель работы: установление физических закономерностей взаимодействия сверхпроводника с постоянным магнитом, определение влияния параметров сверхпроводника, магнита и внешних условий на силу взаимодействия.
Практическая значимость: Результаты диссертационной работы могут быть использованы при конструировании и расчете бесконтактных подвесов и подшипников на основе сверхпроводящих материалов, в том числе для оптимизации массогабаритных характеристик таких подшипников и для обеспечения безопасного функционирования этих устройств в условиях воздействия внешних переменных электромагнитных полей, а также для бесконтактного измерения характеристик сверхпроводящих образцов.
Специальность: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния
Науч. рук.: И. А. Руднев.
Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и библиографии.
Введение: Данные о взаимодействии сверхпроводника и источника неоднородного магнитного поля, определение основных параметров этого взаимодействия являются актуальными и представляют значительный научный и прикладной интерес.
Цель работы: установление физических закономерностей взаимодействия сверхпроводника с постоянным магнитом, определение влияния параметров сверхпроводника, магнита и внешних условий на силу взаимодействия.
Практическая значимость: Результаты диссертационной работы могут быть использованы при конструировании и расчете бесконтактных подвесов и подшипников на основе сверхпроводящих материалов, в том числе для оптимизации массогабаритных характеристик таких подшипников и для обеспечения безопасного функционирования этих устройств в условиях воздействия внешних переменных электромагнитных полей, а также для бесконтактного измерения характеристик сверхпроводящих образцов.