Учебное пособие. — 2-е издание, переработанное и дополненное. —
Москва: Высшая школа, 1986. — 464 с.
В книге изложены основные принципы и направления развития
микроэлектроники, приведена классификация изделий микроэлектроники
и их общая характеристика; описаны физико-химические основы и
технология изготовления полупроводниковых и гибридных ИМС и
БИС.
Во 2-м издании (1-е — 1977 г.) использованы последние достижении в разработке ИМС, более подробно рассмотрены новые технологические процессы и т.д.
Для приборостроительных специальностей вузов. Предисловие.
Введение. Основные положения и направления развития микроэлектроники.
Этапы развития электроники.
Основные положения и принципы микроэлектроники.
История развития микроэлектроники.
Факторы, определяющие развитие микроэлектроники.
Классификация изделий микроэлектроники.
Новые направления развития микроэлектроники. Физические явления и процессы в полупроводниковых структурах.
Общие сведения о полупроводниках.
Статистика подвижных носителей заряда.
Кинетические процессы в полупроводниковых структурах.
Поверхностные явления в полупроводниковых структурах. Контактные свойства полупроводниковых структур.
Контактные явления в микроэлектронных структурах.
Физические процессы в электронно-дырочных переходах.
Вольт-амперная характеристика р-n-перехода.
Туннельный эффект в р-n-переходах.
Явления пробоя р-n-перехода. Физические явления и процессы в пленочных структурах.
Размерные эффекты и основные свойства тонких пленок.
Токи надбарьерной эмиссии в контактирующих тонкопленочных системах.
Туннельная эмиссия в контактирующих тонкопленочных системах.
Токи в диэлектрических пленках, ограниченные объемным зарядом.
Металлические пленки как конструктивный материал интегральных микросхем.
Диэлектрические пленки и области их применения в микроэлектронике. Конструктивно-технологические особенности и элементы конструкций интегральных микросхем.
Классификация ИМС и система условных обозначений.
Полупроводниковые ИМС.
Пленочные и гибридные ИМС.
Большие интегральные микросхемы.
Микросборки.
Компоненты гибридных ИМС.
Корпуса для интегральных микросхем.
Сравнение различных типов ИМС. Подложки интегральных микросхем и обработка их поверхности.
Назначение и классификация подложек ИМС.
Подложки полупроводниковых ИМС.
Подложки пленочных и гибридных ИМС.
Виды загрязнений поверхности подложек и методы их удаления.
Способы жидкостной обработки пластин и подложек.
Способы сухой очистки пластин и, подложек.
Типовые процессы очистки пластин и подложек. Технологические основы полупроводниковой микроэлектроники.
Общие сведения.
Получение слоев оксида и нитрида кремния.
Литография.
Легирование полупроводников диффузией.
Ионное легирование полупроводников.
Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоёв. Технологические основы пленочной микроэлектроники.
Нанесение тонких пленок в вакууме.
Химическое и электрохимическое нанесение пленок.
Нанесение толстых пленок.
Металлизация полупроводниковых структур.
Получение различных конфигураций тонкопленочных структур. Технология изготовления полупроводниковых ИМС и БИС.
Особенности, этапы и классификация Процессов изготовления полупроводниковых ИМС.
Изготовление полупроводниковых биполярных ИМС с изоляцией переходом.
Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией.
Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией.
Изготовление совмещенных ИМС.
Изготовление МДП- и КМДП ИМС.
Особенности технологии и методы создания БИС и СБИС.
Технологические процессы изготовления БИС и СБИС. Технология изготовления гибридных ИМС, БИС ИМСБ.
Особенности, классификация процессов и основные этапы изготовления плат.
Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС.
Изготовление толстопленочных гибридных ИМС.
Стабилизация и подгонка параметров элементов гибридных ИМС.
Изготовление гибридных БИС ИМСБ. Сборка и защита ИМС и БИС.
Методы и этапы сборки.
Разделение пластин и подложек.
Монтаж кристаллов и плат.
Микроконтактирование.
Способы защиты ИМС.
Сборка и защита полупроводниковых ИМС и БИС.
Сборка и защита гибридных ИМ С и БИС.
Основные понятия теории качества.
Назначение и виды контроля.
Контроль полупроводниковых ИМС.
Контроль гибридных ИМС.
Измерение статических и динамических параметров ИМС.
Контроль БИС.
Методы неразрушающего контроля качества ИМС.
Подготовка производства и разработка технологии изготовления ИМС. Надежность интегральных микросхем.
Основные положения теории надежности.
Показатели надежности ИМС.
Тестовый метод оценки надежности ИМС.
Имитационные методы оценки надежности интегральных микросхем. Испытания интегральных микросхем.
Эксплуатационные воздействия на интегральные микросхемы.
Классификация испытаний ИМС.
Проведение испытаний на надежность и оценка их результатов.
Автоматизация испытаний.
Основные виды и причины отказов ИМС.
Анализ отказов ИМС. Заключение.
Литература.
Предметный указатель.
Во 2-м издании (1-е — 1977 г.) использованы последние достижении в разработке ИМС, более подробно рассмотрены новые технологические процессы и т.д.
Для приборостроительных специальностей вузов. Предисловие.
Введение. Основные положения и направления развития микроэлектроники.
Этапы развития электроники.
Основные положения и принципы микроэлектроники.
История развития микроэлектроники.
Факторы, определяющие развитие микроэлектроники.
Классификация изделий микроэлектроники.
Новые направления развития микроэлектроники. Физические явления и процессы в полупроводниковых структурах.
Общие сведения о полупроводниках.
Статистика подвижных носителей заряда.
Кинетические процессы в полупроводниковых структурах.
Поверхностные явления в полупроводниковых структурах. Контактные свойства полупроводниковых структур.
Контактные явления в микроэлектронных структурах.
Физические процессы в электронно-дырочных переходах.
Вольт-амперная характеристика р-n-перехода.
Туннельный эффект в р-n-переходах.
Явления пробоя р-n-перехода. Физические явления и процессы в пленочных структурах.
Размерные эффекты и основные свойства тонких пленок.
Токи надбарьерной эмиссии в контактирующих тонкопленочных системах.
Туннельная эмиссия в контактирующих тонкопленочных системах.
Токи в диэлектрических пленках, ограниченные объемным зарядом.
Металлические пленки как конструктивный материал интегральных микросхем.
Диэлектрические пленки и области их применения в микроэлектронике. Конструктивно-технологические особенности и элементы конструкций интегральных микросхем.
Классификация ИМС и система условных обозначений.
Полупроводниковые ИМС.
Пленочные и гибридные ИМС.
Большие интегральные микросхемы.
Микросборки.
Компоненты гибридных ИМС.
Корпуса для интегральных микросхем.
Сравнение различных типов ИМС. Подложки интегральных микросхем и обработка их поверхности.
Назначение и классификация подложек ИМС.
Подложки полупроводниковых ИМС.
Подложки пленочных и гибридных ИМС.
Виды загрязнений поверхности подложек и методы их удаления.
Способы жидкостной обработки пластин и подложек.
Способы сухой очистки пластин и, подложек.
Типовые процессы очистки пластин и подложек. Технологические основы полупроводниковой микроэлектроники.
Общие сведения.
Получение слоев оксида и нитрида кремния.
Литография.
Легирование полупроводников диффузией.
Ионное легирование полупроводников.
Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых слоёв. Технологические основы пленочной микроэлектроники.
Нанесение тонких пленок в вакууме.
Химическое и электрохимическое нанесение пленок.
Нанесение толстых пленок.
Металлизация полупроводниковых структур.
Получение различных конфигураций тонкопленочных структур. Технология изготовления полупроводниковых ИМС и БИС.
Особенности, этапы и классификация Процессов изготовления полупроводниковых ИМС.
Изготовление полупроводниковых биполярных ИМС с изоляцией переходом.
Изготовление биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией.
Изготовление биполярных ИМС с комбинированной изоляцией.
Изготовление совмещенных ИМС.
Изготовление МДП- и КМДП ИМС.
Особенности технологии и методы создания БИС и СБИС.
Технологические процессы изготовления БИС и СБИС. Технология изготовления гибридных ИМС, БИС ИМСБ.
Особенности, классификация процессов и основные этапы изготовления плат.
Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС.
Изготовление толстопленочных гибридных ИМС.
Стабилизация и подгонка параметров элементов гибридных ИМС.
Изготовление гибридных БИС ИМСБ. Сборка и защита ИМС и БИС.
Методы и этапы сборки.
Разделение пластин и подложек.
Монтаж кристаллов и плат.
Микроконтактирование.
Способы защиты ИМС.
Сборка и защита полупроводниковых ИМС и БИС.
Сборка и защита гибридных ИМ С и БИС.
Основные понятия теории качества.
Назначение и виды контроля.
Контроль полупроводниковых ИМС.
Контроль гибридных ИМС.
Измерение статических и динамических параметров ИМС.
Контроль БИС.
Методы неразрушающего контроля качества ИМС.
Подготовка производства и разработка технологии изготовления ИМС. Надежность интегральных микросхем.
Основные положения теории надежности.
Показатели надежности ИМС.
Тестовый метод оценки надежности ИМС.
Имитационные методы оценки надежности интегральных микросхем. Испытания интегральных микросхем.
Эксплуатационные воздействия на интегральные микросхемы.
Классификация испытаний ИМС.
Проведение испытаний на надежность и оценка их результатов.
Автоматизация испытаний.
Основные виды и причины отказов ИМС.
Анализ отказов ИМС. Заключение.
Литература.
Предметный указатель.