Статья. "Альтернативная энергетика и экология", 2011, № 5, с.
63-72
Показано, что с повышением температуры происходит значительный рост параметра с элементарной ячейки гексагонального кристалла графита из-за увеличения межплоскостных расстояний между графитовыми сетками, при этом электропроводность графита вдоль сеток также резко возрастает. Показано, что если электрические и магнитные характеристики поликристаллического графита зависят от наличия преимущественной ориентации кристаллов, то гораздо более выраженной анизотропией электрофизических свойств будет обладать кристаллоориентированный пиролитический графит, получаемый химическим газофазным осаждением. Сделан вывод, что путь к сверхпроводимости лежит в получе-
нии CVD-методом ориентированных пленочно-монокристаллических структур.
Показано, что с повышением температуры происходит значительный рост параметра с элементарной ячейки гексагонального кристалла графита из-за увеличения межплоскостных расстояний между графитовыми сетками, при этом электропроводность графита вдоль сеток также резко возрастает. Показано, что если электрические и магнитные характеристики поликристаллического графита зависят от наличия преимущественной ориентации кристаллов, то гораздо более выраженной анизотропией электрофизических свойств будет обладать кристаллоориентированный пиролитический графит, получаемый химическим газофазным осаждением. Сделан вывод, что путь к сверхпроводимости лежит в получе-
нии CVD-методом ориентированных пленочно-монокристаллических структур.