СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 235 с.
Рассмотрена современная теория адсорбции, сформулированная на
основе метода модельных гамильтонианов (гамильтонианы Андерсона,
Андерсона-Ньюнса, Халдейна-Андерсона, Муската-Ньюнса). Представлены
модели адсорбции на металлах, включая ферро- и антиферромагнетики,
полупроводниках (собственных и примесных) и оксидах, ВТСП-подложках
и графене. Обсуждаются электронные состояния адсорбированных слоев,
их зарядовое и магнитное упорядочение, структурные фазовые
переходы, влияние адсорбции на поверхностную проводимость
субстрата. Все численные оценки выполнены в рамках метода
связывающих орбиталей Харрисона. Основному тексту предпослано
краткое введение в формализм вторичного квантования и технику
функций Грина.
Предназначено для научных работников, инженеров и аспирантов,
занимающихся вопросами физики конденсированного состояния, микро- и
наноэлектроники, роста кристаллов и катализа.