Методическое пособие по дисциплине «Технологические процессы
микроэлектроники» для студентов специальности «Квантовые
информационные системы» дневной формы обучения. — Минск: БГУИР,
2008. — 47 с.
Рассмотрены конструктивно-технологические особенности изготовления
КМОП-транзисторов для ИС. Определены физические ограничения и
ключевые технологические процессы КМОП-элементов с проектными
нормами менее 130 нм. Рассмотрены различные типы КМОП-структур: с
двойным затвором, вертикальной структурой, FinFET.
Этапы формирования КМОП-транзисторов.
КМОП-структура и базовые технологические операции.
Формирование карманов.
Изоляция.
Легирование канала.
Подзатворный диэлектрик.
Электрод затвора.
Формирование истока, стока.
Межсоединения и металлизация.
Конструктивно-технологические особенности изготовления КМОП-транзисторов.
Аномальные эффекты и методы улучшения характеристик КМОП-транзисторов.
Структура «кремний на изоляторе».
3D КМОП-транзисторы: с двойным затвором, вертикальным затвором, FinFET.
КМОП-структура и базовые технологические операции.
Формирование карманов.
Изоляция.
Легирование канала.
Подзатворный диэлектрик.
Электрод затвора.
Формирование истока, стока.
Межсоединения и металлизация.
Конструктивно-технологические особенности изготовления КМОП-транзисторов.
Аномальные эффекты и методы улучшения характеристик КМОП-транзисторов.
Структура «кремний на изоляторе».
3D КМОП-транзисторы: с двойным затвором, вертикальным затвором, FinFET.